Verze 2025.01
jazyk
      Index    
S   C K CHEMIE ; HUTNICTVÍ
C   C30 K PĚSTOVÁNÍ KRYSTALŮ [3]
U   C30B K PĚSTOVÁNÍ MONOKRYSTALŮ ( použitím ultravysokého tlaku, např. pro výrobu diamantů B01J 3/06 ) JEDNOSMĚRNÉ TUHNUTÍ EUTEKTICKÉHO MATERIÁLU NEBO JEDNOSMĚRNÉ ODMÍŠENÍ EUTEKTOIDNÍHO MATERIÁLU ; RAFINACE ZONÁLNÍM TAVENÍM MATERIÁLU ( zonální rafinace kovů nebo slitin C22B ) VÝROBA HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU ( lití kovů, lití jiných látek týmiž postupy nebo zařízeními B22D ; zpracování plastických materiálů B29 ; modifikace fyzikální struktury kovů nebo slitin C21D , C22F ) MONOKRYSTALY NEBO HOMOGENNÍ POLYKRYSTALICKÝ MATERIÁL S DEFINOVANOU STRUKTUROU ; NÁSLEDNÁ ÚPRAVA MONOKRYSTALŮ NEBO HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU ( pro výrobu polovodičových konstrukčních prvků nebo jejich součástí H01L , H10 ) ZAŘÍZENÍ PRO TYTO ÚČELY [3]
N   C30B   Poznámky
  1. V této podtřídě mají níže uvedené výrazy následující význam:
    • "monokrystal" zahrnuje také krystalová dvojčata a převážně monokrystalové výrobky;
    • "homogenní polykrystalický materiál" znamená materiál s krystalovými částicemi, z nichž všechny mají totéž chemické složení;
    • "definovaná struktura" znamená strukturu materiálu se zrny, která jsou orientována přednostně nebo mají větší rozměry než získaná normálním způsobem.
  2. V této podtřídě:
    • se příprava monokrystalů nebo homogenního polykrystalického materiálu s definovanou strukturou konkrétních materiálů nebo tvarů zatřiďuje do skupiny pro postup stejně tak jako do skupiny C30B 29/00 ;
    • zařízení zvlášť upravené pro konkrétní postup se zatřiďuje do příslušné skupiny pro tento postup. Zařízení pro použití ve více než jednom druhu postupu se zatřiďuje do skupiny C30B 35/00 .
I   C30B   Obsah
PĚSTOVÁNÍ MONOKRYSTALŮ
z pevných látek nebo gelů
 1/00 ,  3/00 ,  5/00
z kapalin
 7/00 -  21/00 ,  27/00
z par
 23/00 ,  25/00
VÝROBA MONOKRYSTALŮ NEBO HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU
 28/00 ,  30/00
MONOKRYSTALY NEBO HOMOGENNÍ POLYKRYSTALICKÝ MATERIÁL S DEFINOVANOU STRUKTUROU
 29/00
NÁSLEDNÁ ÚPRAVA
 31/00 ,  33/00
PŘÍSTROJE
 35/00
G   C30B 1/00 -
C30B 5/00 		  Pěstování monokrystalů z pevných látek nebo gelů [3]
M   C30B 1/00 K Pěstování monokrystalů přímo z pevného stavu ( jednosměrné odmíšení eutektoidních materiálů C30B 3/00 ; pod ochrannou tekutinou C30B 27/00 ) [3,8]
M   C30B 3/00 K Jednosměrné odmíšení eutektoidních materiálů [3,8]
M   C30B 5/00 K Pěstování monokrystalů z gelů ( pod ochrannou tekutinou C30B 27/00 ) [3,8]
G   C30B 7/00 -
C30B 21/00 		  Pěstování monokrystalů z kapalin ; Jednosměrné tuhnutí eutektických materiálů [3]
M   C30B 7/00 K Pěstování monokrystalů z roztoků s použitím rozpouštědel, která jsou při normální teplotě kapalná, např. vodné roztoky ( z roztavených rozpouštědel C30B 9/00 ; normálním nebo gradientovým vymrazováním C30B 11/00 ; pod ochrannou tekutinou C30B 27/00 ) [3,8]
M   C30B 9/00 K Pěstování monokrystalů z roztoků v taveninách s použitím roztavených rozpouštědel ( normálním nebo gradientovým vymrazováním C30B 11/00 ; zonálním tavením C30B 13/00 ; tažením krystalů C30B 15/00 ; na ponořeném očkovacím krystalu C30B 17/00 ; epitaxním růstem z kapalné fáze C30B 19/00 ; pod ochrannou tekutinou C30B 27/00 ) [3,8]
M   C30B 11/00 K Pěstování monokrystalů normálním vymrazováním nebo vymrazováním s teplotním gradientem, např. Bridgman-Stockbargerova metoda ( C30B 13/00 , C30B 15/00 , C30B 17/00 , C30B 19/00 mají přednost ; pod ochrannou tekutinou C30B 27/00 ) [3,8]
M   C30B 13/00 K Pěstování monokrystalů zonálním tavením ; Rafinace zonálním tavením ( C30B 17/00 má přednost ; změnou průřezu zpracovávané pevné látky C30B 15/00 ; pod ochrannou tekutinou C30B 27/00 ; pro růst homogenního polykrystalického materiálu s definovanou strukturou C30B 28/00 ) [3,5,8]
M   C30B 15/00 K Pěstování monokrystalů tažením z taveniny, např. Czochralskiho metoda ( pod ochrannou tekutinou C30B 27/00 ) [3,8]
M   C30B 17/00 K Pěstování monokrystalů na očkovacím krystalu, který během růstu zůstává v tavenině, např. Nacken-Kyropoulosova metoda ( C30B 15/00 má přednost ) [3,8]
M   C30B 19/00 K Růst epitaxní vrstvy z kapalné fáze [3,8]
M   C30B 21/00 K Jednosměrné tuhnutí eutektických materiálů [3,8]
G   C30B 23/00 -
C30B 25/00 		  Pěstování monokrystalů z par [3]
M   C30B 23/00 K Pěstování monokrystalů kondenzací vypařených nebo sublimovaných materiálů [3,8]
M   C30B 25/00 K Pěstování monokrystalů chemickou reakcí reaktivních plynů, např. pěstování chemickou depozicí z plynné fáze [3,8]
M   C30B 27/00 K Pěstování monokrystalů pod ochrannou tekutinou [3,8]
M   C30B 28/00 K Výroba homogenního polykrystalického materiálu s definovanou strukturou [5,8]
M   C30B 29/00 K Monokrystaly nebo homogenní polykrystalický materiál s definovanou strukturou vyznačené materiálem nebo svým tvarem [3,5,8]
M   C30B 30/00 K Výroba monokrystalů nebo homogenního polykrystalického materiálu s definovanou strukturou vyznačená působením elektrických nebo magnetických polí, vlnové energie nebo jiných konkrétních fyzikálních podmínek [5,8]
G   C30B 31/00 -
C30B 33/00 		  Následná úprava monokrystalů nebo homogenního polykrystalického materiálu s definovanou strukturou [3,5]
M   C30B 31/00 K Difúzní nebo dopovací postupy pro monokrystaly nebo homogenní polykrystalický materiál s definovanou strukturou ; Příslušná zařízení [3,5,8]
M   C30B 33/00 K Následná úprava monokrystalů nebo homogenního polykrystalického materiálu s definovanou strukturou ( C30B 31/00 má přednost ) [3,5,8]
M   C30B 35/00 K Zařízení nezahrnuté jinde, zvlášť upravené pro pěstování, výrobu nebo následnou úpravu monokrystalů nebo homogenního polykrystalického materiálu s definovanou strukturou [3,5,8]