| |
|
|
Index |
|
|
| S |
|
C |
K |
CHEMIE
;
HUTNICTVÍ
|
| C |
|
C30 |
K |
PĚSTOVÁNÍ KRYSTALŮ
[3]
|
| U |
|
C30B |
K |
PĚSTOVÁNÍ MONOKRYSTALŮ
(
použitím ultravysokého tlaku, např. pro výrobu diamantů
B01J 3/06
)
JEDNOSMĚRNÉ TUHNUTÍ EUTEKTICKÉHO MATERIÁLU NEBO JEDNOSMĚRNÉ ODMÍŠENÍ EUTEKTOIDNÍHO MATERIÁLU
;
RAFINACE ZONÁLNÍM TAVENÍM MATERIÁLU
(
zonální rafinace kovů nebo slitin
C22B
)
VÝROBA HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU
(
lití kovů, lití jiných látek týmiž postupy nebo zařízeními
B22D
;
zpracování plastických materiálů
B29
;
modifikace fyzikální struktury kovů nebo slitin
C21D
,
C22F
)
MONOKRYSTALY NEBO HOMOGENNÍ POLYKRYSTALICKÝ MATERIÁL S DEFINOVANOU STRUKTUROU
;
NÁSLEDNÁ ÚPRAVA MONOKRYSTALŮ NEBO HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU
(
pro výrobu polovodičových konstrukčních prvků nebo jejich součástí
H01L
,
H10
)
ZAŘÍZENÍ PRO TYTO ÚČELY
[3]
|
| M |
|
C30B 11/00 |
K |
Pěstování monokrystalů normálním vymrazováním nebo vymrazováním s teplotním gradientem, např. Bridgman-Stockbargerova metoda
(
C30B 13/00
,
C30B 15/00
,
C30B 17/00
,
C30B 19/00
mají přednost
;
pod ochrannou tekutinou
C30B 27/00
)
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 11/02 |
K |
·
bez použití rozpouštědel
(
C30B 11/06
má přednost
)
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 11/04 |
K |
·
přidávání krystalizujících materiálů nebo výchozích látek tvořících ji
in situ
k tavenině
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 11/06 |
K |
· ·
kde se přidává alespoň jedna, ale ne všechny složky ze složení krystalu
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 11/08 |
K |
· ·
kde se během krystalizace přidávají všechny složky ze složení krystalu
[3,8]
|
| 3 |
|
C30B 11/10 |
K |
· · ·
Pevné nebo kapalné složky, např. Verneuilova metoda
[3,8]
|
| 3 |
|
C30B 11/12 |
K |
· · ·
Parní složky, např. pěstování v systému pára-kapalina-pevná látka
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 11/14 |
K |
·
vyznačené očkovacím krystalem, např. jeho krystalografickou orientací
[3,8]
|