|
|
|
Index |
|
|
S |
|
C |
K |
CHEMIE
;
HUTNICTVÍ
|
C |
|
C30 |
K |
PĚSTOVÁNÍ KRYSTALŮ
[3]
|
U |
|
C30B |
K |
PĚSTOVÁNÍ MONOKRYSTALŮ
(
použitím ultravysokého tlaku, např. pro výrobu diamantů
B01J 3/06
)
JEDNOSMĚRNÉ TUHNUTÍ EUTEKTICKÉHO MATERIÁLU NEBO JEDNOSMĚRNÉ ODMÍŠENÍ EUTEKTOIDNÍHO MATERIÁLU
;
RAFINACE ZONÁLNÍM TAVENÍM MATERIÁLU
(
zonální rafinace kovů nebo slitin
C22B
)
VÝROBA HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU
(
lití kovů, lití jiných látek týmiž postupy nebo zařízeními
B22D
;
zpracování plastických materiálů
B29
;
modifikace fyzikální struktury kovů nebo slitin
C21D
,
C22F
)
MONOKRYSTALY NEBO HOMOGENNÍ POLYKRYSTALICKÝ MATERIÁL S DEFINOVANOU STRUKTUROU
;
NÁSLEDNÁ ÚPRAVA MONOKRYSTALŮ NEBO HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU
(
pro výrobu polovodičových konstrukčních prvků nebo jejich součástí
H01L
,
H10
)
ZAŘÍZENÍ PRO TYTO ÚČELY
[3]
|
M |
|
C30B 31/00 |
K |
Difúzní nebo dopovací postupy pro monokrystaly nebo homogenní polykrystalický materiál s definovanou strukturou
;
Příslušná zařízení
[3,5,8]
|
1 |
|
C30B 31/02 |
K |
·
uvedením do styku s difúzními materiály v pevném stavu
[3,8]
|
1 |
|
C30B 31/04 |
K |
·
uvedením do styku s difúzními materiály v kapalném stavu
[3,8]
|
1 |
|
C30B 31/06 |
K |
·
uvedením do styku s difúzním materiálem v plynném stavu
[3,8]
|
2 |
|
C30B 31/08 |
K |
· ·
kde je difúzními materiály sloučenina prvků, které se mají difundovat
[3,8]
|
2 |
|
C30B 31/10 |
K |
· ·
Reakční komory
;
Výběr materiálů pro ně
[3,8]
|
2 |
|
C30B 31/12 |
K |
· ·
Ohřívání reakční komory
[3,8]
|
2 |
|
C30B 31/14 |
K |
· ·
Držáky substrátu nebo susceptory
[3,8]
|
2 |
|
C30B 31/16 |
K |
· ·
Prostředky pro přívod a odvod plynů
;
Modifikace průtoku plynů
[3,8]
|
2 |
|
C30B 31/18 |
K |
· ·
Řízení nebo regulace
[3,8]
|
1 |
|
C30B 31/20 |
K |
·
Dopování ozářením elektromagnetickými vlnami nebo částicovým zářením
[3,8]
|
2 |
|
C30B 31/22 |
K |
· ·
iontovou implantací
[3,8]
|