Verze 2025.01
jazyk
      Index    
S   C K CHEMIE ; HUTNICTVÍ
C   C30 K PĚSTOVÁNÍ KRYSTALŮ [3]
U   C30B K PĚSTOVÁNÍ MONOKRYSTALŮ ( použitím ultravysokého tlaku, např. pro výrobu diamantů B01J 3/06 ) JEDNOSMĚRNÉ TUHNUTÍ EUTEKTICKÉHO MATERIÁLU NEBO JEDNOSMĚRNÉ ODMÍŠENÍ EUTEKTOIDNÍHO MATERIÁLU ; RAFINACE ZONÁLNÍM TAVENÍM MATERIÁLU ( zonální rafinace kovů nebo slitin C22B ) VÝROBA HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU ( lití kovů, lití jiných látek týmiž postupy nebo zařízeními B22D ; zpracování plastických materiálů B29 ; modifikace fyzikální struktury kovů nebo slitin C21D , C22F ) MONOKRYSTALY NEBO HOMOGENNÍ POLYKRYSTALICKÝ MATERIÁL S DEFINOVANOU STRUKTUROU ; NÁSLEDNÁ ÚPRAVA MONOKRYSTALŮ NEBO HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU ( pro výrobu polovodičových konstrukčních prvků nebo jejich součástí H01L , H10 ) ZAŘÍZENÍ PRO TYTO ÚČELY [3]
M   C30B 28/00 K Výroba homogenního polykrystalického materiálu s definovanou strukturou [5,8]
1   C30B 28/02 K  ·   přímo z pevného stavu [5,8]
1   C30B 28/04 K  ·   z kapalin [5,8]
2   C30B 28/06 K  ·   ·   normálním vymrazováním nebo vymrazováním s teplotním gradientem [5,8]
2   C30B 28/08 K  ·   ·   zonálním tavením [5,8]
2   C30B 28/10 K  ·   ·   tažením z taveniny [5,8]
1   C30B 28/12 K  ·   přímo z plynného stavu [5,8]
2   C30B 28/14 K  ·   ·   chemickou reakcí reaktivních plynů [5,8]