Verze 2025.01
jazyk
      Index    
S   C K CHEMIE ; HUTNICTVÍ
C   C30 K PĚSTOVÁNÍ KRYSTALŮ [3]
U   C30B K PĚSTOVÁNÍ MONOKRYSTALŮ ( použitím ultravysokého tlaku, např. pro výrobu diamantů B01J 3/06 ) JEDNOSMĚRNÉ TUHNUTÍ EUTEKTICKÉHO MATERIÁLU NEBO JEDNOSMĚRNÉ ODMÍŠENÍ EUTEKTOIDNÍHO MATERIÁLU ; RAFINACE ZONÁLNÍM TAVENÍM MATERIÁLU ( zonální rafinace kovů nebo slitin C22B ) VÝROBA HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU ( lití kovů, lití jiných látek týmiž postupy nebo zařízeními B22D ; zpracování plastických materiálů B29 ; modifikace fyzikální struktury kovů nebo slitin C21D , C22F ) MONOKRYSTALY NEBO HOMOGENNÍ POLYKRYSTALICKÝ MATERIÁL S DEFINOVANOU STRUKTUROU ; NÁSLEDNÁ ÚPRAVA MONOKRYSTALŮ NEBO HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU ( pro výrobu polovodičových konstrukčních prvků nebo jejich součástí H01L , H10 ) ZAŘÍZENÍ PRO TYTO ÚČELY [3]
M   C30B 13/00 K Pěstování monokrystalů zonálním tavením ; Rafinace zonálním tavením ( C30B 17/00 má přednost ; změnou průřezu zpracovávané pevné látky C30B 15/00 ; pod ochrannou tekutinou C30B 27/00 ; pro růst homogenního polykrystalického materiálu s definovanou strukturou C30B 28/00 ) [3,5,8]
1   C30B 13/02 K  ·   Zonální tavení s rozpouštědlem, např. proces s postupujícím rozpouštědlem [3,8]
1   C30B 13/04 K  ·   Homogenizace zonálním vyrovnáváním [3,8]
1   C30B 13/06 K  ·   kde roztavená zóna nesahá přes celý průřez [3,8]
1   C30B 13/08 K  ·   přidávání krystalizujících materiálů nebo výchozích látek tvořících ji in situ k roztavené zóně [3,8]
2   C30B 13/10 K  ·   ·   s přidáním dopovacích materiálů [3,8]
3   C30B 13/12 K  ·   ·   ·   v plynném nebo parním stavu [3,8]
1   C30B 13/14 K  ·   Kelímky nebo nádoby [3,8]
1   C30B 13/16 K  ·   Zahřívání roztavené zóny [3,8]
2   C30B 13/18 K  ·   ·   kde je topný prvek ve styku s roztavenou zónou nebo ponořený do roztavené zóny [3,8]
2   C30B 13/20 K  ·   ·   indukcí, např. technikou topného drátu ( C30B 13/18 má přednost ) [3,8]
2   C30B 13/22 K  ·   ·   ozářením nebo elektrickým výbojem [3,8]
3   C30B 13/24 K  ·   ·   ·   s použitím elektromagnetických vln [3,8]
1   C30B 13/26 K  ·   Míchání roztavené zóny [3,8]
1   C30B 13/28 K  ·   Řízení nebo regulace [3,8]
2   C30B 13/30 K  ·   ·   Stabilizace nebo kontrola tvaru roztavené zóny, např. pomocí koncentrátorů, elektromagnetických polí ; Kontrola průřezu krystalu [3,8]
1   C30B 13/32 K  ·   Mechanismy pro pohyb buď vsázky, nebo ohřívače [3,8]
1   C30B 13/34 K  ·   vyznačené očkovacím krystalem, např. jeho krystalografickou orientací [3,8]