| |
|
|
Index |
|
|
| S |
|
C |
K |
CHEMIE
;
HUTNICTVÍ
|
| C |
|
C30 |
K |
PĚSTOVÁNÍ KRYSTALŮ
[3]
|
| U |
|
C30B |
K |
PĚSTOVÁNÍ MONOKRYSTALŮ
(
použitím ultravysokého tlaku, např. pro výrobu diamantů
B01J 3/06
)
JEDNOSMĚRNÉ TUHNUTÍ EUTEKTICKÉHO MATERIÁLU NEBO JEDNOSMĚRNÉ ODMÍŠENÍ EUTEKTOIDNÍHO MATERIÁLU
;
RAFINACE ZONÁLNÍM TAVENÍM MATERIÁLU
(
zonální rafinace kovů nebo slitin
C22B
)
VÝROBA HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU
(
lití kovů, lití jiných látek týmiž postupy nebo zařízeními
B22D
;
zpracování plastických materiálů
B29
;
modifikace fyzikální struktury kovů nebo slitin
C21D
,
C22F
)
MONOKRYSTALY NEBO HOMOGENNÍ POLYKRYSTALICKÝ MATERIÁL S DEFINOVANOU STRUKTUROU
;
NÁSLEDNÁ ÚPRAVA MONOKRYSTALŮ NEBO HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU
(
pro výrobu polovodičových konstrukčních prvků nebo jejich součástí
H01L
,
H10
)
ZAŘÍZENÍ PRO TYTO ÚČELY
[3]
|
| M |
|
C30B 9/00 |
K |
Pěstování monokrystalů z roztoků v taveninách s použitím roztavených rozpouštědel
(
normálním nebo gradientovým vymrazováním
C30B 11/00
;
zonálním tavením
C30B 13/00
;
tažením krystalů
C30B 15/00
;
na ponořeném očkovacím krystalu
C30B 17/00
;
epitaxním růstem z kapalné fáze
C30B 19/00
;
pod ochrannou tekutinou
C30B 27/00
)
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 9/02 |
K |
·
odpařováním roztaveného rozpouštědla
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 9/04 |
K |
·
ochlazováním roztoku
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 9/06 |
K |
· ·
s použitím složky ze složení krystalu jako rozpouštědla
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 9/08 |
K |
· ·
s použitím jiných rozpouštědel
[3,8]
|
| 3 |
|
C30B 9/10 |
K |
· · ·
Kovová rozpouštědla
[3,8]
|
| 3 |
|
C30B 9/12 |
K |
· · ·
Solná rozpouštědla, např. růst z přesyceného roztoku
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 9/14 |
K |
·
elektrolýzou
[3,8]
|