Verze 2025.01

jazyk

			Index
S		H	K	ELEKTŘINA
C		H01	K	ELEKTROTECHNICKÉ SOUČÁSTI
U		H01L	K	POLOVODIČOVÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY NEZAHRNUTÉ DO TŘÍDY H10 ( použití polovodičových prvků pro měřicí účely G01 ; odpory všeobecně H01C ; magnety, induktory nebo transformátory H01F ; kondenzátory všeobecně H01G ; elektrolytické konstrukční prvky H01G 9/00 ; baterie nebo akumulátory H01M ; vlnovody, rezonátory nebo přenosové vedení typu vlnovodů H01P ; spojovací vodiče nebo sběrače proudu H01R ; konstrukční prvky se stimulovanou emisí H01S ; elektromechanické rezonátory H03H ; reproduktory, mikrofony, gramofonové přenosky nebo podobné akustické elektromechanické měniče H04R ; elektrické světelné zdroje všeobecně H05B ; tištěné obvody, hybridní obvody, kryty nebo konstrukční součástky elektrických zařízení, výroba sestav elektrických součástek H05K ; použití polovodičových prvků v obvodech, které mají konkrétní použití, viz podtřídu pro toto použití ) [2]
M		H01L 21/00	K	Způsoby nebo zařízení zvlášť upravené pro výrobu nebo zpracování polovodičových konstrukčních prvků nebo prvků v pevné fázi nebo jejich částí [2,8]
N		H01L 21/02		Poznámky Skupina H01L 21/70 má přednost před skupinami H01L 21/02 - H01L 21/67 .
1		H01L 21/02	K	·   Výroba nebo opracování polovodičových konstrukčních prvků nebo jejich částí [2,8]
2		H01L 21/027	K	·   ·   Vytváření masek na polovodičových tělesech pro další fotolitografické procesy neobsažené ve skupině H01L 21/18 nebo H01L 21/34 [5,8]
3		H01L 21/033	K	·   ·   ·   obsahující anorganické vrstvy [5,8]
2		H01L 21/04	K	·   ·   kde mají konstrukční prvky potenciální hradlové vrstvy, např. přechod PN, ochuzenou vrstvu nebo obohacenou vrstvu [2,8]
3		H01L 21/18	K	·   ·   ·   kde prvky mají polovodičová tělíska obsahující prvky ze skupiny IV periodické soustavy nebo sloučeniny A III B V s nečistotami nebo bez nich, např. dopujícími materiály [2,6,7,8]
N		H01L 21/18		Poznámky Tato skupina zahrnuje též postupy a zařízení, které jsou s použitím příslušné technologie zjevně vhodné pro výrobu nebo úpravu prvků, jejichž tělíska obsahují prvky ze skupiny IV periodické soustavy nebo sloučeniny A III B V , i když není použitý materiál výslovně specifikován.
4		H01L 21/20	K	·   ·   ·   ·   Nanášení polovodičových materiálů na substrát, například epitaxním nárůstem [2,8]
5		H01L 21/203	K	·   ·   ·   ·   ·   fyzikálním nanášením, např. napařováním ve vakuu, katodovým rozprašováním [2,8]
5		H01L 21/205	K	·   ·   ·   ·   ·   redukcí nebo rozkladem plynné sloučeniny, která tvoří pevný kondenzát, tj. chemickým nanášením [2,8]
5		H01L 21/208	K	·   ·   ·   ·   ·   nanášením z kapalné fáze [2,8]
4		H01L 21/22	K	·   ·   ·   ·   Difúze příměsí, např. dotovací materiály, materiály elektrod uvnitř nebo na polovodičovém tělese nebo mezi jednotlivými oblastmi polovodiče ; Redistribuce příměsí, např. bez vstupu nebo odstraňování jiných dotovacích materiálů [2,8]
5		H01L 21/223	K	·   ·   ·   ·   ·   difúzí do nebo z pevného tělesa, z nebo do plynné fáze [2,8]
5		H01L 21/225	K	·   ·   ·   ·   ·   difúzí do nebo z pevného tělesa, z nebo do pevné fáze, například dotovaná oxidová vrstva [2,8]
5		H01L 21/228	K	·   ·   ·   ·   ·   difúzí do nebo z pevného tělesa, z nebo do kapalné fáze, například legovací difúzní postupy [2,8]
4		H01L 21/24	K	·   ·   ·   ·   Vlegování příměsí, například dotovací materiály, materiály elektrod v polovodičovém tělese [2,8]
4		H01L 21/26	K	·   ·   ·   ·   Ostřelování vlnovým nebo částicovým zářením [2,8]
5		H01L 21/261	K	·   ·   ·   ·   ·   k vytvoření jaderné reakce transmutující chemické prvky [6,8]
5		H01L 21/263	K	·   ·   ·   ·   ·   vysokoenergetickým zářením ( H01L 21/261 má přednost ) [2,6,8]
6		H01L 21/265	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   přičemž dochází k implantaci iontů [2,8]
7		H01L 21/266	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   použitím masek [5,8]
6		H01L 21/268	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   elektromagnetickým zářením, např. laserové paprsky [2,8]
4		H01L 21/28	K	·   ·   ·   ·   Výroba elektrod na tělese polovodiče postupy nebo za použití zařízení, neuvedených ve skupinách H01L 21/20 - H01L 21/268 [2,8,2025.01]
5		H01L 21/283	K	·   ·   ·   ·   ·   Nanášení vodivých nebo izolačních materiálů pro elektrody [2,8]
6		H01L 21/285	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   z plynné nebo parní fáze, například kondenzace [2,8]
6		H01L 21/288	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   z kapalné fáze, například elektrolytické nanášení [2,8]
4		H01L 21/30	K	·   ·   ·   ·   Opracování polovodičových těles postupy nebo zařízeními neuvedenými ve skupinách H01L 21/20 - H01L 21/26 ( výroba elektrod na polovodičovém tělese H01L 21/28 , H10D 64/01 ) [2,8]
5		H01L 21/301	K	·   ·   ·   ·   ·   pro další rozdělení polovodičového tělesa do samostatných částí, např. zhotovení přepážek ( řezání H01L 21/304 ) [6,8]
5		H01L 21/302	K	·   ·   ·   ·   ·   pro změnu fyzikálních vlastností jejich povrchů nebo pro změnu jejich tvarů, např. leptáním, leštěním, řezáním [2,8]
6		H01L 21/304	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   Mechanické opracování, například broušení, leštění, řezání [2,8]
6		H01L 21/306	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   Chemické nebo elektrické opracování, například elektrolytické leptání ( k vytvoření izolačních vrstev H01L 21/31 ; dodatečné zpracování izolačních vrstev H01L 21/3105 ) [2,8]
7		H01L 21/3063	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   Elektrolytické leptání [6,8]
7		H01L 21/3065	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   Plazmové leptání ; Leptání reaktivními ionty [6,8]
7		H01L 21/308	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   použitím masek ( H01L 21/3063 , H01L 21/3065 mají přednost) ) [2,6,8]
5		H01L 21/31	K	·   ·   ·   ·   ·   k vytvoření izolačních vrstev na polovodičovém tělese, např. pro maskovací účely nebo pro použití fotolitografických technik ( zapouzdření vrstev H01L 21/56 ) Následná ochrana těchto vrstev ; Výběr materiálů pro tyto vrstvy [2,5,8]
6		H01L 21/3105	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   Následná úprava [5,8]
7		H01L 21/311	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   Leptání izolačních vrstev [5,8]
7		H01L 21/3115	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   Dotování izolačních vrstev [5,8]
6		H01L 21/312	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   Organické vrstvy, například fotorezist ( H01L 21/3105 , H01L 21/32 mají přednost ) [2,5,8]
6		H01L 21/314	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   Anorganické vrstvy ( H01L 21/3105 , H01L 21/32 mají přednost ) [2,5,8]
7		H01L 21/316	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   složené z oxidů nebo sklovitých oxidů nebo skel na bázi oxidů [2,8]
7		H01L 21/318	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   složené z nitridů [2,8]
6		H01L 21/32	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   použitím masek [2,5,8]
6		H01L 21/3205	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   Nanášení neizolačních, např. vodivých, odporových vrstev na izolační vrstvy ; Následná ochrana těchto vrstev ( výroba elektrod H01L 21/28 , H10D 64/01 ) [5,8]
7		H01L 21/321	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   Následná úprava [5,8]
8		H01L 21/3213	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   Fyzikální nebo chemické leptání vrstev, např. k vytvoření vzorovaných vrstev z předem nanesené rozsáhlé vrstvy [6,8]
8		H01L 21/3215	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   Dotování vrstev [5,8]
5		H01L 21/322	K	·   ·   ·   ·   ·   změny vnitřních vlastností, například vytváření mřížkových poruch [2,8]
5		H01L 21/324	K	·   ·   ·   ·   ·   Tepelné zpracování ke změnám vlastností polovodičových těles, například temperování, sintrování ( H01L 21/20 - H01L 21/288 , H01L 21/302 - H01L 21/322 mají přednost ) [2,8]
5		H01L 21/326	K	·   ·   ·   ·   ·   Použití elektrických proudů nebo polí, například k elektroformování ( H01L 21/20 - H01L 21/288 , H01L 21/302 - H01L 21/324 mají přednost ) [2,8]
3		H01L 21/34	K	·   ·   ·   přičemž konstrukční prvky zahrnují polovodičová tělesa nezahrnutá skupin H01L 21/18 , H10D 48/04 a H10D 48/07 , s příměsemi nebo bez nich, např. dotovací materiály [2,8,2025.01]
4		H01L 21/36	K	·   ·   ·   ·   Nanášení polovodičových materiálů na substrát, například epitaxním nárůstem [2,8]
5		H01L 21/363	K	·   ·   ·   ·   ·   fyzikálním nanášením, např. napařováním ve vakuu, katodovým rozprašováním [2,8]
5		H01L 21/365	K	·   ·   ·   ·   ·   redukcí nebo rozkladem plynné sloučeniny, která tvoří pevný kondenzát, tj. chemickým nanášením [2,8]
5		H01L 21/368	K	·   ·   ·   ·   ·   nanášením z kapalné fáze [2,8]
4		H01L 21/38	K	·   ·   ·   ·   Difúze příměsí, např. dotovací materiály, materiály elektrod uvnitř nebo na polovodičovém tělese nebo mezi jednotlivými oblastmi polovodiče [2,8]
5		H01L 21/383	K	·   ·   ·   ·   ·   difúzí do nebo z pevného tělesa, z nebo do plynné fáze [2,8]
5		H01L 21/385	K	·   ·   ·   ·   ·   difúzí do nebo z pevného tělesa, z nebo do pevné fáze, například dotovaná oxidová vrstva [2,8]
5		H01L 21/388	K	·   ·   ·   ·   ·   difúzí do nebo z pevného tělesa, z nebo do kapalné fáze, například legovací difúzní postupy [2,8]
4		H01L 21/40	K	·   ·   ·   ·   Vlegování příměsí, například dotovací materiály, materiály elektrod v polovodičovém tělese [2,8]
4		H01L 21/42	K	·   ·   ·   ·   Ostřelování zářením [2,8]
5		H01L 21/423	K	·   ·   ·   ·   ·   vysokoenergetickým zářením [2,8]
6		H01L 21/425	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   přičemž dochází k implantaci iontů [2,8]
7		H01L 21/426	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   použitím masek [5,8]
6		H01L 21/428	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   elektromagnetickým zářením, např. laserové paprsky [2,8]
4		H01L 21/44	K	·   ·   ·   ·   Výroba elektrod na tělese polovodiče postupy nebo za použití zařízení, neuvedených ve skupinách H01L 21/36 - H01L 21/428 [2,8,2025.01]
5		H01L 21/441	K	·   ·   ·   ·   ·   Nanášení vodivých nebo izolačních materiálů pro elektrody [2,8]
6		H01L 21/443	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   z plynné nebo parní fáze, například kondenzace [2,8]
6		H01L 21/445	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   z kapalné fáze, například elektrolytické nanášení [2,8]
5		H01L 21/447	K	·   ·   ·   ·   ·   použitím tlaku, například termokompresní svařování ( H01L 21/607 má přednost ) [2,8]
5		H01L 21/449	K	·   ·   ·   ·   ·   použitím mechanických kmitů, například ultrazvukových kmitů [2,8]
4		H01L 21/46	K	·   ·   ·   ·   Opracování polovodičových těles postupy nebo zařízeními neuvedenými ve skupinách H01L 21/36 - H01L 21/428 ( výroba elektrod na polovodičovém tělese H01L 21/44 , H10D 64/01 ) [2,8]
5		H01L 21/461	K	·   ·   ·   ·   ·   ke změnám fyzikálních vlastností jejich povrchů nebo jejich tvarů například leptáním, leštěním, řezáním [2,8]
6		H01L 21/463	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   Mechanické opracování, například broušení, opracování ultrazvukem [2,8]
6		H01L 21/465	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   Chemické nebo elektrické opracování, například elektrolytické leptání ( k vytvoření izolačních vrstev H01L 21/469 ) [2,8]
7		H01L 21/467	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   použitím masek [2,8]
6		H01L 21/469	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   k vytvoření izolačních vrstev na polovodičovém tělese, např. pro maskovací účely nebo pro použití fotolitografických technik ( zapouzdření vrstev H01L 21/56 ) Následná ochrana těchto vrstev [2,5,8]
7		H01L 21/47	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   Organické vrstvy, například fotorezist ( H01L 21/475 , H01L 21/4757 mají přednost ) [2,5,8]
7		H01L 21/471	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   Anorganické vrstvy ( H01L 21/475 , H01L 21/4757 mají přednost ) [2,5,8]
8		H01L 21/473	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   složené z oxidů nebo sklovitých oxidů nebo skel na bázi oxidů [2,8]
7		H01L 21/475	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   použitím masek [2,5,8]
7		H01L 21/4757	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   ·   Následná úprava [5,8]
6		H01L 21/4763	K	·   ·   ·   ·   ·   ·   Nanášení neizolačních, např. vodivých, odporových vrstev na izolační vrstvy ; Následná ochrana těchto vrstev ( výroba elektrod H01L 21/28 , H10D 64/01 ) [5,8]
5		H01L 21/477	K	·   ·   ·   ·   ·   Tepelné zpracování ke změnám vlastností polovodičových těles, například temperování, sintrování ( H01L 21/36 - H01L 21/449 , H01L 21/461 - H01L 21/475 mají přednost ) [2,8]
5		H01L 21/479	K	·   ·   ·   ·   ·   Použití elektrických proudů nebo polí, například k elektroformování ( H01L 21/36 - H01L 21/449 , H01L 21/461 - H01L 21/477 mají přednost ) [2,8]
3		H01L 21/48	K	·   ·   ·   Výroba nebo zpracování konstrukčních částí, například pouzder k montáži konstrukčních prvků využívající postupy, neuvedené v některé ze skupin H01L 21/18 - H01L 21/326 nebo H10D 48/04 - H10D 48/07 [2,8]
3		H01L 21/50	K	·   ·   ·   Montáž polovodičových konstrukčních prvků využívající postupů nebo zařízení neuvedených v některé ze skupin H01L 21/18 - H01L 21/326 nebo H10D 48/04 - H10D 48/07 [2,8]
4		H01L 21/52	K	·   ·   ·   ·   Montáž polovodičového tělesa do pouzdra [2,8]
4		H01L 21/54	K	·   ·   ·   ·   Vpravení náplně do pouzdra, například plynové náplně [2,8]
4		H01L 21/56	K	·   ·   ·   ·   Zapouzdření, například ochranné vrstvy, povlaky [2,8]
4		H01L 21/58	K	·   ·   ·   ·   Montáž polovodičových prvků na podložku [2,8]
4		H01L 21/60	K	·   ·   ·   ·   Připevnění připojovacích vodičů nebo dalších vodivých částí, které za provozu konstrukčního prvku slouží k přívodu nebo odvodu proudu [2,8]
5		H01L 21/603	K	·   ·   ·   ·   ·   použitím tlaku, například termokompresní svařování ( H01L 21/607 má přednost ) [2,8]
5		H01L 21/607	K	·   ·   ·   ·   ·   použitím mechanických kmitů, například ultrazvukových kmitů [2,8]
2		H01L 21/62	K	·   ·   kde konstrukční prvky nemají žádné potenciální hradlové vrstvy [2,8]
1		H01L 21/64	K	·   Výroba nebo opracování konstrukčních prvků v pevné fázi jiných než polovodičových prvků, nebo jejich částí, které nejsou zvlášť upravené pro jednotlivé druhy konstrukčních prvků uvedených v podtřídách H10F , H10H , H10K nebo H10N [2,8]
1		H01L 21/66	K	·   Zkoušení nebo měření během výroby nebo opracování [2,8]
1		H01L 21/67	K	·   zařízení speciálně upravené pro manipulaci s polovodičem nebo elektrickým prvkem v pevné fázi během jejich výroby nebo úpravy ; zařízení speciálně upravené pro manipulaci s destičkami během výroby nebo úpravy polovodiče nebo elektrickým prvkem v pevné fázi nebo součástkami [8]
2		H01L 21/673	K	·   ·   použití speciálně upravených nosičů [8]
2		H01L 21/677	K	·   ·   pro dopravování, např. mezi různými pracovními stanicemi [8]
2		H01L 21/68	K	·   ·   pro polohování, orientaci nebo vystředění [2,8]
2		H01L 21/683	K	·   ·   pro podepření nebo uchopení ( pro polohování, orientaci nebo vystředění H01L 21/68 ) [8]
3		H01L 21/687	K	·   ·   ·   použití mechanických prostředků, např. sklíčidel, svěrek nebo skřipců [8]
1		H01L 21/70	K	·   Výroba nebo opracování konstrukčních prvků, které jsou složeny z více prvků v pevné fázi nebo integrovaných obvodů vytvořených v nebo na společném substrátu ; Výroba integrovaných obvodů nebo jejich určitých částí ( výroba montážních celků, které sestávají z předem vyrobených elektrických komponentů H05K 3/00 , H05K 13/00 ) [2,8]
2		H01L 21/71	K	·   ·   Výroba specifických částí konstrukčních prvků definovaných v podskupině H01L 21/70 ( H01L 21/28 , H01L 21/44 , H01L 21/48 a H10D 64/01 mají přednost ) [6,8]
3		H01L 21/74	K	·   ·   ·   Vytvoření vnořených oblastí vyšší koncentrace nečistot, například kolektorových vrstev, vnitřních spojů [2,8]
3		H01L 21/76	K	·   ·   ·   Vytvoření izolačních oblastí mezi komponenty [2,8]
4		H01L 21/761	K	·   ·   ·   ·   PN přechody [6,8]
4		H01L 21/762	K	·   ·   ·   ·   Dielektrické oblasti [6,8]
4		H01L 21/763	K	·   ·   ·   ·   Polykrystalické polovodičové oblasti [6,8]
4		H01L 21/764	K	·   ·   ·   ·   Vzduchové mezery [6,8]
4		H01L 21/765	K	·   ·   ·   ·   působením pole [6,8]
3		H01L 21/768	K	·   ·   ·   Aplikace propojení použitých pro přenášení proudu mezi samostatnými komponenty uvnitř konstrukčního prvku [6,8]
2		H01L 21/77	K	·   ·   Výroba nebo opracování konstrukčních prvků skládajících se z množství komponentů v pevné fázi nebo integrovaných obvodů vytvořených ve společném substrátu nebo na něm ( výroba nebo opracování elektronických paměťových prvků H10B ) [6,8,2017.01]
3		H01L 21/78	K	·   ·   ·   s následným rozdělením substrátu do více jednotlivých prvků ( řezání pro změnu povrchových fyzikálních charakteristik nebo tvaru polovodičových těles H01L 21/304 ) [2,6,8]
2		H01L 21/98	K	·   ·   Montáž konstrukčních prvků, které sestávají z komponentů v pevné fázi, vytvořených v nebo na společném substrátu ; Montáž integrovaných obvodů ( H01L 21/50 má přednost ) [2,5,8]