Verze 2025.01
jazyk
      Index    
S   C K CHEMIE ; HUTNICTVÍ
C   C30 K PĚSTOVÁNÍ KRYSTALŮ [3]
U   C30B K PĚSTOVÁNÍ MONOKRYSTALŮ ( použitím ultravysokého tlaku, např. pro výrobu diamantů B01J 3/06 ) JEDNOSMĚRNÉ TUHNUTÍ EUTEKTICKÉHO MATERIÁLU NEBO JEDNOSMĚRNÉ ODMÍŠENÍ EUTEKTOIDNÍHO MATERIÁLU ; RAFINACE ZONÁLNÍM TAVENÍM MATERIÁLU ( zonální rafinace kovů nebo slitin C22B ) VÝROBA HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU ( lití kovů, lití jiných látek týmiž postupy nebo zařízeními B22D ; zpracování plastických materiálů B29 ; modifikace fyzikální struktury kovů nebo slitin C21D , C22F ) MONOKRYSTALY NEBO HOMOGENNÍ POLYKRYSTALICKÝ MATERIÁL S DEFINOVANOU STRUKTUROU ; NÁSLEDNÁ ÚPRAVA MONOKRYSTALŮ NEBO HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU ( pro výrobu polovodičových konstrukčních prvků nebo jejich součástí H01L , H10 ) ZAŘÍZENÍ PRO TYTO ÚČELY [3]
M   C30B 30/00 K Výroba monokrystalů nebo homogenního polykrystalického materiálu s definovanou strukturou vyznačená působením elektrických nebo magnetických polí, vlnové energie nebo jiných konkrétních fyzikálních podmínek [5,8]
N   C30B 30/00   Poznámky
  • Když se zatřiďuje do této skupiny, provádí se též zatřídění do skupin C30B 1/00 - C30B 28/00 podle postupu pěstování krystalu.
  • 1   C30B 30/02 K  ·   použitím elektrických polí, např. elektrolýza [5,8]
    1   C30B 30/04 K  ·   použitím magnetických polí [5,8]
    1   C30B 30/06 K  ·   použitím mechanických vibrací [5,8]
    1   C30B 30/08 K  ·   v podmínkách stavu beztíže nebo nízké gravitace [5,8]