| |
|
|
Index |
|
|
| S |
|
H |
K |
ELEKTŘINA
|
| C |
|
H10 |
K |
POLOVODIČOVÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY
;
ELEKTRICKÉ PEVNÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY NEZAHRNUTÉ JINDE
[2023.01]
|
| U |
|
H10D |
K |
ANORGANICKÉ ELEKTRICKÉ POLOVODIČOVÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY
[2025.01]
|
| M |
|
H10D 84/00 |
K |
Integrované konstrukční prvky vytvořené v nebo na polovodičových substrátech, které zahrnují pouze polovodičové vrstvy, např. na křemíkových plátcích nebo na plátcích typu GaAs na křemíku
[2025.01]
|
| N |
|
H10D 84/00 |
|
Poznámky
-
Když se v této skupině považuje výroba nebo úprava konstrukčního prvku za novou a nezřejmou, zatřiďuje se též konstrukční prvek jako takový.
|
| 1 |
|
H10D 84/01 |
K |
·
Výroba nebo úprava
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10D 84/02 |
K |
· ·
vyznačená použitím technologií založených na materiálu
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10D 84/03 |
K |
· · ·
použitím technologie pro skupinu IV, např. křemíkové technologie nebo technologie karbidu křemíku [SiC]
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10D 84/05 |
K |
· · ·
použitím technologie pro skupinu III-V
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10D 84/07 |
K |
· · ·
použitím technologie pro skupinu II-VI
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10D 84/08 |
K |
· · ·
použitím kombinací technologií, např. použitím jak technologie Si, tak i technologie SiC, nebo použitím jak technologie Si, tak i technologie pro skupinu III-V
[2025.01]
|
| 1 |
|
H10D 84/40 |
K |
·
vyznačené začleněním alespoň jedné součástky zahrnuté do skupin
H10D 12/00
nebo
H10D 30/00
a alespoň jedné součástky zahrnuté do skupin
H10D 10/00
nebo
H10D 18/00
, např. integrace IGFET s BJT
[2025.01]
|
| 1 |
|
H10D 84/60 |
K |
·
vyznačené začleněním alespoň jedné součástky zahrnuté do skupin
H10D 10/00
nebo
H10D 18/00
, např. začleněním BJT
(
H10D 84/40
má přednost
)
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10D 84/63 |
K |
· ·
Kombinace vertikálních a laterálních BJT
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10D 84/65 |
K |
· ·
Integrovaná injekční logika
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10D 84/67 |
K |
· ·
Komplementární BJT
[2025.01]
|
| 1 |
|
H10D 84/80 |
K |
·
vyznačené začleněním alespoň jedné součástky zahrnuté do skupin
H10D 12/00
nebo
H10D 30/00
, např. začleněním IGFET
(
H10D 84/40
má přednost
)
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10D 84/82 |
K |
· ·
pouze součástek řízených polem
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10D 84/83 |
K |
· · ·
pouze FET s izolovaným hradlem [IGFET]
[2025.01]
|
| 4 |
|
H10D 84/84 |
K |
· · · ·
Kombinace IGFET pracujících v obohacovacím režimu a IGFET pracujících v ochuzovacím režimu
[2025.01]
|
| 4 |
|
H10D 84/85 |
K |
· · · ·
Komplementární IGFET, např. CMOS
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10D 84/86 |
K |
· ·
hradlových FET se Schottkyho bariérou
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10D 84/87 |
K |
· ·
hradlových FET s PN přechodem
[2025.01]
|
| 1 |
|
H10D 84/90 |
K |
·
Integrované obvody masterslice
[2025.01]
|