Verze 2025.01
jazyk
      Index    
S   H K ELEKTŘINA
C   H10 K POLOVODIČOVÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY ; ELEKTRICKÉ PEVNÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY NEZAHRNUTÉ JINDE [2023.01]
U   H10D K ANORGANICKÉ ELEKTRICKÉ POLOVODIČOVÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY [2025.01]
N   H10D   Poznámky
  1. Tato podtřída zahrnuje elektrické polovodičové konstrukční prvky s anorganickými polovodičovými tělesy. To zahrnuje následující druhy konstrukčních prvků:
    • anorganické polovodičové konstrukční prvky zvlášť upravené pro usměrňování, zesilování, kmity nebo spínání, např. tranzistory nebo diody;
    • jednotlivé anorganické odpory nebo kondenzátory s potenciálovými hradlovými vrstvami;
    • jednotlivé odpory, kondenzátory nebo induktory bez potenciálových hradlových vrstev a zvlášť upravené pro integraci s jinými polovodičovými součástkami;
    • polovodičová tělesa, nebo jejich oblasti, konstrukčních prvků zahrnutých do této podtřídy;
    • elektrody konstrukčních prvků zahrnutých do této podtřídy;
    • integrované konstrukční prvky, např. integrované konstrukční prvky CMOS;
    • postupy nebo zařízení zvlášť upravené pro výrobu nebo úpravu takových konstrukčních prvků.
  2. Tato podtřída nezahrnuje :
    • elektronické paměťové prvky, které jsou zahrnuty do podtřídy H10B ;
    • polovodičové prvky citlivé na infračervené záření, světlo, elektromagnetické záření o kratší vlnové délce nebo částicové záření, které jsou zahrnuty do podtřídy H10F ;
    • polovodičové prvky vysílající světlo s alespoň jednou potenciálovou hradlovou vrstvou, které jsou zahrnuty do podtřídy H10H ;
    • termoelektrické, termomagnetické, piezoelektrické, elektrostrikční, magnetostrikční konstrukční prvky, konstrukční prvky s magnetickým jevem, supravodivé nebo jiné elektrické pevné konstrukční prvky, které jsou zahrnuty do podtřídy H10N ;
    • konstrukční součásti jiné než polovodičová tělesa nebo elektrody, které jsou zahrnuty do podtřídy H01L 23/00 .
  3. V této podtřídě je použitou periodickou soustavou soustava se skupinami I až VIII uvedenými v periodické soustavě pod Poznámkou (3) ze sekce C .
I   H10D   Obsah
JEDNOTLIVÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY
Odpory; kondenzátory; induktory
 1/00
Diody
 8/00
Bipolární plošné tranzistory
 10/00
Bipolární konstrukční prvky řízené elektrickým polem
 12/00
Tyristory
 18/00
FET
 30/00
Konstrukční prvky s přenosem náboje
 44/00
Jiné jednotlivé konstrukční prvky
 48/00
KONSTRUKČNÍ SOUČÁSTI
Tělesa
 62/00
Elektrody
 64/00
INTEGROVANÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY; SESTAVY VÍCE KONSTRUKČNÍCH PRVKŮ
Sestavy více konstrukčních prvků
 80/00
Integrované konstrukční prvky vytvořené v nebo na polovodičových substrátech, které zahrnují pouze polovodičové vrstvy
 84/00
Integrované konstrukční prvky vytvořené v nebo na izolantových nebo vodivých substrátech
 86/00
Integrované konstrukční prvky zahrnující objemové konstrukční prvky a buď SOI, nebo SOS konstrukční prvky na témže substrátu
 87/00
3D integrované konstrukční prvky
 88/00
Jiná hlediska integrovaných konstrukčních prvků
 89/00
PŘEDMĚTY NEZAHRNUTÉ DO JINÝCH SKUPIN TÉTO PODTŘÍDY
 99/00
[2025.01]
G   H10D 1/00 -
H10D 48/00 		  Jednotlivé konstrukční prvky [2025.01]
M   H10D 1/00 K Odpory, kondenzátory nebo induktory [2025.01]
M   H10D 8/00 K Diody ( diody s proměnnou kapacitou H10D 1/64 ; diody řízené hradlem H10D 12/00 ) [2025.01]
M   H10D 10/00 K Bipolární tranzistory [BJT] [2025.01]
M   H10D 12/00 K Bipolární konstrukční prvky řízené elektrickým polem, např. bipolární tranzistory s izolovaným hradlem [IGBT] [2025.01]
M   H10D 18/00 K Tyristory [2025.01]
M   H10D 30/00 K Tranzistory řízené elektrickým polem [FET] ( bipolární tranzistory s izolovaným hradlem H10D 12/00 ) [2025.01]
M   H10D 44/00 K Konstrukční prvky s přenosem náboje [2025.01]
M   H10D 48/00 K Jednotlivé konstrukční prvky nezahrnuté do skupin H10D 1/00 - H10D 44/00 [2025.01]
G   H10D 62/00 -
H10D 64/00 		  Konstrukční součásti [2025.01]
M   H10D 62/00 K Polovodičová tělesa, nebo jejich oblasti, konstrukčních prvků s potenciálovými hradlovými vrstvami [2025.01]
M   H10D 64/00 K Elektrody z konstrukčních prvků s potenciálovými hradlovými vrstvami [2025.01]
G   H10D 80/00 -
H10D 89/00 		  Integrované konstrukční prvky ; Sestavy více konstrukčních prvků [2025.01]
M   H10D 80/00 K Sestavy více konstrukčních prvků obsahující alespoň jeden konstrukční prvek zahrnutý do této podtřídy [2025.01]
M   H10D 84/00 K Integrované konstrukční prvky vytvořené v nebo na polovodičových substrátech, které zahrnují pouze polovodičové vrstvy, např. na křemíkových plátcích nebo na plátcích typu GaAs na křemíku [2025.01]
M   H10D 86/00 K Integrované konstrukční prvky vytvořené v nebo na izolantových nebo vodivých substrátech, např. vytvořené v substrátech křemík na izolantu [SOI] nebo na substrátech z nerezové oceli nebo ze skla [2025.01]
M   H10D 87/00 K Integrované konstrukční prvky zahrnující objemové součástky a buď SOI, nebo SOS součástky na témže substrátu [2025.01]
M   H10D 88/00 K Trojrozměrné [3D] integrované konstrukční prvky [2025.01]
M   H10D 89/00 K Hlediska integrovaných konstrukčních prvků nezahrnutá do skupin H10D 84/00 - H10D 88/00 [2025.01]
M   H10D 99/00 K Předměty neuvedené v jiných skupinách této podtřídy [2025.01]