|
|
|
Index |
|
|
S |
|
H |
K |
ELEKTŘINA
|
C |
|
H10 |
K |
POLOVODIČOVÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY
;
ELEKTRICKÉ PEVNÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY NEZAHRNUTÉ JINDE
[2023.01]
|
U |
|
H10D |
K |
ANORGANICKÉ ELEKTRICKÉ POLOVODIČOVÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY
[2025.01]
|
M |
|
H10D 62/00 |
K |
Polovodičová tělesa, nebo jejich oblasti, konstrukčních prvků s potenciálovými hradlovými vrstvami
[2025.01]
|
1 |
|
H10D 62/10 |
K |
·
Tvary, relativní velikosti nebo dispoziční řešení oblastí polovodičových těles
;
Tvary polovodičových těles
[2025.01]
|
2 |
|
H10D 62/13 |
K |
· ·
Polovodičové oblasti spojené s elektrodami nesoucími proud, který má být usměrňován, zesilován nebo spínán, např. zdrojové nebo odtokové oblasti
[2025.01]
|
N |
|
H10D 62/13 |
|
Poznámky
-
Tato skupina
zahrnuje
pouze polovodičové oblasti pro konstrukční prvky, které zahrnují tři nebo více elektrod.
|
2 |
|
H10D 62/17 |
K |
· ·
Polovodičové oblasti spojené s elektrodami, které nenesou proud, jenž má být usměrňován, zesilován nebo spínán, např. oblasti kanálků
[2025.01]
|
1 |
|
H10D 62/40 |
K |
·
Krystalické struktury
[2025.01]
|
1 |
|
H10D 62/50 |
K |
·
Fyzikální poruchy
[2025.01]
|
2 |
|
H10D 62/53 |
K |
· ·
s poruchou krystalové mřížky v polovodičovém tělese
[2025.01]
|
2 |
|
H10D 62/57 |
K |
· ·
kde jsou tyto poruchy na povrchu polovodičového tělesa, např. kde toto těleso má zdrsnělý povrch
[2025.01]
|
1 |
|
H10D 62/60 |
K |
·
Rozložení nebo koncentrace nečistot
[2025.01]
|
1 |
|
H10D 62/80 |
K |
·
vyznačené materiálem
[2025.01]
|
N |
|
H10D 62/80 |
|
Poznámky
-
Při zatřiďování v této skupině se složky materiálu uvažují bez ohledu na jakékoli dotující látky nebo jiné nečistoty.
-
V této skupině:
|
2 |
|
H10D 62/81 |
K |
· ·
struktur vykazujících kvantové rozměrové jevy, např. jednoduché kvantové jámy
;
struktur, které mají periodickou nebo kvazi-periodickou potenciálovou variaci
[2025.01]
|
3 |
|
H10D 62/815 |
K |
· · ·
struktur, které mají periodickou nebo kvazi-periodickou potenciálovou variaci, např. supermřížky nebo vícenásobné kvantové jámy [MQW]
[2025.01]
|
2 |
|
H10D 62/82 |
K |
· ·
Heteropřechody
[2025.01]
|
3 |
|
H10D 62/822 |
K |
· · ·
zahrnující pouze heteropřechody z materiálů skupiny IV, např. heteropřechody Si/Ge
[2025.01]
|
3 |
|
H10D 62/824 |
K |
· · ·
zahrnující pouze heteropřechody z materiálů skupiny III-V, např. heteropřechody GaN/AlGaN
[2025.01]
|
3 |
|
H10D 62/826 |
K |
· · ·
zahrnující pouze heteropřechody z materiálů skupiny II-VI, např. heteropřechody CdTe/HgTe
[2025.01]
|
2 |
|
H10D 62/83 |
K |
· ·
kterým jsou materiály ze skupiny IV, např. Si dotovaný B nebo nedotované Ge
[2025.01]
|
3 |
|
H10D 62/832 |
K |
· · ·
kterým jsou materiály ze skupiny IV zahrnující dva nebo více prvků, např. SiGe
[2025.01]
|
3 |
|
H10D 62/834 |
K |
· · ·
dále vyznačené dotujícími látkami
[2025.01]
|
2 |
|
H10D 62/84 |
K |
· ·
kterým je pouze selen nebo telur
[2025.01]
|
N |
|
H10D 62/84 |
|
Poznámky
-
Tato skupina
nezahrnuje
chemické sloučeniny selenu nebo teluru.
|
2 |
|
H10D 62/85 |
K |
· ·
kterým jsou materiály ze skupiny III-V, např. GaAs
[2025.01]
|
3 |
|
H10D 62/852 |
K |
· · ·
kterým jsou materiály ze skupiny III-V zahrnující tři nebo více prvků, např. AlGaN nebo InAsSbP
[2025.01]
|
3 |
|
H10D 62/854 |
K |
· · ·
dále vyznačené dotujícími látkami
[2025.01]
|
2 |
|
H10D 62/86 |
K |
· ·
kterým jsou materiály ze skupiny II-VI, např. ZnO
[2025.01]
|
3 |
|
H10D 62/862 |
K |
· · ·
kterým jsou materiály ze skupiny II-VI zahrnující tři nebo více prvků, např. CdZnTe
[2025.01]
|
3 |
|
H10D 62/864 |
K |
· · ·
dále vyznačené dotujícími látkami
[2025.01]
|