| |
|
|
Index |
|
|
| S |
|
H |
K |
ELEKTŘINA
|
| C |
|
H10 |
K |
POLOVODIČOVÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY
;
ELEKTRICKÉ PEVNÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY NEZAHRNUTÉ JINDE
[2023.01]
|
| U |
|
H10D |
K |
ANORGANICKÉ ELEKTRICKÉ POLOVODIČOVÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY
[2025.01]
|
| M |
|
H10D 30/00 |
K |
Tranzistory řízené elektrickým polem [FET]
(
bipolární tranzistory s izolovaným hradlem
H10D 12/00
)
[2025.01]
|
| N |
|
H10D 30/00 |
|
Poznámky
-
Když se v této skupině považuje výroba nebo úprava konstrukčního prvku za novou a nezřejmou, zatřiďuje se též konstrukční prvek jako takový.
|
| 1 |
|
H10D 30/01 |
K |
·
Výroba nebo úprava
[2025.01]
|
| 1 |
|
H10D 30/40 |
K |
·
FET, které mají bezrozměrné [0D], jednorozměrné [1D] nebo dvojrozměrné [2D] kanálky pro plyn nosičů náboje
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10D 30/43 |
K |
· ·
které mají 1D kanálky pro plyn nosičů náboje, např. FET na bázi kvantových drátů nebo tranzistory obsahující 1D kvantové rozměrové kanálky
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10D 30/47 |
K |
· ·
které mají 2D kanálky pro plyn nosičů náboje, např. FET na bázi nanostuh nebo tranzistory s vysokou elektronovou mobilitou [HEMT]
[2025.01]
|
| 1 |
|
H10D 30/60 |
K |
·
Tranzistory řízené elektrickým polem s izolovaným hradlem [IGFET]
(
H10D 30/40
má přednost
)
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10D 30/62 |
K |
· ·
Tranzistory řízené elektrickým polem s žebry [FinFET]
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10D 30/63 |
K |
· ·
Vertikální IGFET
(
H10D 30/66
má přednost
)
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10D 30/64 |
K |
· ·
FET typu kov-oxid-polovodič s dvojí difúzí [DMOS]
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10D 30/65 |
K |
· · ·
Laterální DMOS [LDMOS] FET
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10D 30/66 |
K |
· · ·
Vertikální DMOS [VDMOS] FET
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10D 30/67 |
K |
· ·
Tenkovrstvé tranzistory [TFT]
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10D 30/68 |
K |
· ·
IGFET s plovoucím hradlem
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10D 30/69 |
K |
· ·
IGFET, které mají hradlové izolanty zachycující náboj, např. tranzistory MNOS
[2025.01]
|
| 1 |
|
H10D 30/80 |
K |
·
FET zahrnující hradlové elektrody s usměrňujícím přechodem
(
H10D 30/40
má přednost
)
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10D 30/83 |
K |
· ·
FET zahrnující hradlové elektrody s PN přechodem
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10D 30/87 |
K |
· ·
FET se Schottkyho hradlovými elektrodami, např. FET s přechodem kov-polovodič [MESFET]
[2025.01]
|