| |
|
|
Index |
|
|
| S |
|
G |
K |
FYZIKA
|
| C |
|
G11 |
K |
UCHOVÁVÁNÍ INFORMACÍ
|
| U |
|
G11C |
K |
STATICKÉ PAMĚTI
(
polovodičová paměťová zařízení
H10B
)
|
| M |
|
G11C 11/00 |
K |
Číslicové paměti vyznačené použitím elektrických nebo magnetických paměťových prvků
;
Paměťové prvky pro ně
(
G11C 14/00
- G11C 21/00
mají přednost
)
[1,5,8]
|
| N |
|
G11C 11/02 |
|
Poznámky
Skupina
G11C 11/56
má přednost před skupinami
G11C 11/02
- G11C 11/54
.
|
| 1 |
|
G11C 11/02 |
K |
·
použitím magnetických prvků
[1,8]
|
| 2 |
|
G11C 11/04 |
K |
· ·
s použitím paměťových prvků válcovitého tvaru např. tyč, drát
(
G11C 11/12
,
G11C 11/14
mají přednost
)
[1,2,8]
|
| 2 |
|
G11C 11/06 |
K |
· ·
s použitím paměťových prvků a jedním otvorem, např. toroidní jádro
;
s použitím destiček s několika otvory, z nichž každý jednotlivý otvor tvoří paměťový prvek
[1,8]
|
| 3 |
|
G11C 11/061 |
K |
· · ·
s použitím paměťových prvků s jedním otvorem nebo magnetickým obvodem, přičemž jeden element se používá pro bit a při čtení se vymaže
[2,8]
|
| 4 |
|
G11C 11/063 |
K |
· · · ·
organizovaných po bitech např. 2L/2D-, 3D-organizace, tj. uspořádaných pro volbu elementu s nejméně dvěma koincidenčními dílčími proudy jak ke čtení, tak i k zápisu
[2,8]
|
| 4 |
|
G11C 11/065 |
K |
· · · ·
uspořádaných po slovech, např. s 2D-organizací nebo lineárním výběrem, tj. uspořádaných pro volbu každého elementu slova prostřednictvím jediného prošlého proudu při čtení
[2,8]
|
| 3 |
|
G11C 11/067 |
K |
· · ·
použitím paměťových prvků s jedním otvorem nebo magnetickým obvodem, přičemž se používá jeden prvek pro bit a při čtení se nemaže
[2,8]
|
| 2 |
|
G11C 11/08 |
K |
· ·
s použitím paměťových prvků s více otvory např. transfuxorů
;
s destičkami, které tvoří jednotlivé paměťové prvky, opatřené více otvory
(
G11C 11/10
má přednost
)
[1,2,8]
|
| 2 |
|
G11C 11/10 |
K |
· ·
s použitím mnohoosých paměťových prvků
[1,8]
|
| 2 |
|
G11C 11/12 |
K |
· ·
s použitím tenzorů
;
s použitím twistorů, tj. prvků v nichž jedna osa magnetizace tvoří spirálu
[1,8]
|
| 2 |
|
G11C 11/14 |
K |
· ·
s použitím prvků s tenkou magnetickou vrstvou
[1,8]
|
| 3 |
|
G11C 11/15 |
K |
· · ·
s více magnetickými vrstvami
(
G11C 11/155
má přednost
)
[2,8]
|
| 3 |
|
G11C 11/155 |
K |
· · ·
s válcovou konfigurací
[2,8]
|
| 2 |
|
G11C 11/16 |
K |
· ·
s použitím prvků, v nichž účinek ukládání do paměti se zakládá na jevu magnetického spinu
[1,8]
|
| 1 |
|
G11C 11/18 |
K |
·
s použitím zařízení s Hallovým jevem
[1,8]
|
| 1 |
|
G11C 11/19 |
K |
·
s nelineárními reaktancemi v rezonančních obvodech
[2,8]
|
| 2 |
|
G11C 11/20 |
K |
· ·
s parametrony
[1,2,8]
|
| 1 |
|
G11C 11/21 |
K |
·
s elektrickými prvky
[2,8]
|
| 2 |
|
G11C 11/22 |
K |
· ·
s ferroelektrickými prvky
[1,2,8]
|
| 2 |
|
G11C 11/23 |
K |
· ·
s elektrostatickým ukládáním do paměti na společnou vrstvu, např. Forrester-Haeffovy elektronky
(
G11C 11/22
má přednost
)
[2,8]
|
| 2 |
|
G11C 11/24 |
K |
· ·
s použitím kondenzátorů
(
G11C 11/22
má přednost
;
používající kombinace polovodičových zařízení a kondenzátorů
G11C 11/34
, např.
G11C 11/40
)
[1,2,5,8]
|
| 2 |
|
G11C 11/26 |
K |
· ·
s použitím výbojek
[1,2,8]
|
| 3 |
|
G11C 11/28 |
K |
· · ·
s plynovými výbojkami
[1,2,8]
|
| 3 |
|
G11C 11/30 |
K |
· · ·
s elektronkami
(
G11C 11/23
má přednost
)
[1,2,8]
|
| 2 |
|
G11C 11/34 |
K |
· ·
s použitím polovodičových prvků
[1,2,8]
|
| 3 |
|
G11C 11/35 |
K |
· · ·
s nábojovou pamětí ve vyprázdněné vrstvě, například součástky s nábojovou vazbou
[7,8]
|
| 3 |
|
G11C 11/36 |
K |
· · ·
s diodami, např. jako prahovými prvky
[1,2,8]
|
| 4 |
|
G11C 11/38 |
K |
· · · ·
s tunelovými diodami
[1,2,8]
|
| 3 |
|
G11C 11/39 |
K |
· · ·
používající tyristory
[5,8]
|
| 3 |
|
G11C 11/40 |
K |
· · ·
s tranzistory
[1,2,8]
|
| 4 |
|
G11C 11/401 |
K |
· · · ·
tvořené buňkami vyžadující regeneraci nábojem, například dynamické buňky
[5,8]
|
| 5 |
|
G11C 11/402 |
K |
· · · · ·
s individuální nábojovou regenerací každé paměťové buňky, tj. vnitřní regenerace
[5,8]
|
| 5 |
|
G11C 11/403 |
K |
· · · · ·
s nábojovou regenerací více paměťových buněk společně, tj. vnější regenerace
[5,8]
|
| 6 |
|
G11C 11/404 |
K |
· · · · · ·
s hradlem přenášejícím jeden náboj, např. tranzistorem MOS na buňku
[5,8]
|
| 6 |
|
G11C 11/405 |
K |
· · · · · ·
s hradly přenášejícími tři náboje, např. tranzistory MOS na buňku
[5,8]
|
| 5 |
|
G11C 11/406 |
K |
· · · · ·
Ovládání nebo řízení regeneračních cyklů
[5,8]
|
| 5 |
|
G11C 11/4063 |
K |
· · · · ·
Pomocné obvody, například pro adresování, dekódování, buzení, zápis, snímání nebo časování [7]
[7,8]
|
| 6 |
|
G11C 11/4067 |
K |
· · · · · ·
pro paměťové buňky bipolárního typu
[7,8]
|
| 6 |
|
G11C 11/407 |
K |
· · · · · ·
pro paměťové buňky řízené polem
[5,8]
|
| 7 |
|
G11C 11/4072 |
K |
· · · · · · ·
Obvody pro inicializaci, proudové napájení nebo vypnutí, vymazání paměti nebo přednastavení
[7,8]
|
| 7 |
|
G11C 11/4074 |
K |
· · · · · · ·
Napájení nebo napětí generující obvody, například generátory předpětí, generátory napětí podložky, obvody záložního napájení a proudové regulační obvody
[7,8]
|
| 7 |
|
G11C 11/4076 |
K |
· · · · · · ·
Časovací obvody
(
pro regeneraci řízení
G11C 11/406
)
[7,8]
|
| 7 |
|
G11C 11/4078 |
K |
· · · · · · ·
Bezpečnostní nebo ochranné obvody, například pro zamezení náhodnému nebo neoprávněnému čtení nebo zápisu
;
Stavové buňky
;
Zkušební buňky
(
ochrana obsahu paměti během kontroly nebo zkoušení
G11C 29/52
)
[7,8]
|
| 7 |
|
G11C 11/408 |
K |
· · · · · · ·
Adresovací obvody
[5,8]
|
| 7 |
|
G11C 11/409 |
K |
· · · · · · ·
Obvody pro čtení a zápis (R-W)
[5,8]
|
| 8 |
|
G11C 11/4091 |
K |
· · · · · · · ·
Čtecí nebo čtecí a obnovovací zesilovače nebo připojené snímací obvody, například pro přípravné nabíjení bitových vodičů, vyrovnávání nebo isolace [7]
[7,8]
|
| 8 |
|
G11C 11/4093 |
K |
· · · · · · · ·
Uspořádání vstupních/výstupních (I/O) datových rozhraní, např. vyrovnávací paměti dat
[7,8]
|
| 8 |
|
G11C 11/4094 |
K |
· · · · · · · ·
Správa nebo řídicí obvody bitových vodičů
[7,8]
|
| 8 |
|
G11C 11/4096 |
K |
· · · · · · · ·
Obvody pro správu nebo řízení vstupních/výstupních (I/O) dat, např. obvody pro čtení nebo zápis, I/O ovladače nebo přepínače datových linek
[7,8]
|
| 8 |
|
G11C 11/4097 |
K |
· · · · · · · ·
Organizace bitových vodičů, například uspořádání bitových vodičů, složené bitové vodiče
[7,8]
|
| 8 |
|
G11C 11/4099 |
K |
· · · · · · · ·
Řízení vyvažovací buňky
;
Generátory referenčního napětí
[7,8]
|
| 4 |
|
G11C 11/41 |
K |
· · · ·
tvořené buňkami s kladnou zpětnou vazbou, tj. buňky nepotřebují regeneraci nábojem, např. bistabilní multivibrátor nebo Schmittův obvod
[5,8]
|
| 5 |
|
G11C 11/411 |
K |
· · · · ·
používající pouze bipolární tranzistory
[5,8]
|
| 5 |
|
G11C 11/412 |
K |
· · · · ·
používající pouze tranzistory řízené polem
[5,8]
|
| 5 |
|
G11C 11/413 |
K |
· · · · ·
Pomocné obvody, např. pro adresování, dekódování, řízení, zápis, snímání, časování nebo redukci výkonu
[5,8]
|
| 6 |
|
G11C 11/414 |
K |
· · · · · ·
pro paměťové buňky bipolárního typu
[5,8]
|
| 7 |
|
G11C 11/415 |
K |
· · · · · · ·
Adresovací obvody
[5,8]
|
| 7 |
|
G11C 11/416 |
K |
· · · · · · ·
Obvody pro čtení a zápis (R-W)
[5,8]
|
| 6 |
|
G11C 11/417 |
K |
· · · · · ·
pro paměťové buňky řízené polem
[5,8]
|
| 7 |
|
G11C 11/418 |
K |
· · · · · · ·
Adresovací obvody
[5,8]
|
| 7 |
|
G11C 11/419 |
K |
· · · · · · ·
Obvody pro čtení a zápis (R-W)
[5,8]
|
| 3 |
|
G11C 11/4193 |
K |
· · ·
Pomocné obvody specifické podle určitého typu paměťové polovodičové součástky, například pro adresování, dekódování, buzení, zápis, snímání nebo časování, proudové napájení, šíření signálů
(
G11C 11/4063
,
G11C 11/413
mají přednost
)
[7,8]
|
| 4 |
|
G11C 11/4195 |
K |
· · · ·
Adresovací obvody
[7,8]
|
| 4 |
|
G11C 11/4197 |
K |
· · · ·
Obvody pro čtení a zápis (R-W)
[7,8]
|
| 2 |
|
G11C 11/42 |
K |
· ·
používající optoelektronická zařízení, tj. světloemitující a fotoelektrická zařízení vázaná elektricky nebo opticky
[1,8]
|
| 2 |
|
G11C 11/44 |
K |
· ·
se supravodivými prvky, např. kryotron
[1,2,8]
|
| 1 |
|
G11C 11/46 |
K |
·
s použitím termoplastických prvků
[1,8]
|
| 1 |
|
G11C 11/48 |
K |
·
s použitím přemístitelných vazebních prvků, např. ferromagnetická jádra pro vytváření změn mezi různými stavy vzájemné nebo vlastní indukčnosti
[1,8]
|
| 1 |
|
G11C 11/50 |
K |
·
s použitím ovládání elektrických kontaktů pro ukládání informace do paměti
[1,8]
|
| 2 |
|
G11C 11/52 |
K |
· ·
s použitím elektromagnetických relé
[1,8]
|
| 1 |
|
G11C 11/54 |
K |
·
s použitím prvků simulujících biologické buňky, např. neuron
[1,8]
|
| 1 |
|
G11C 11/56 |
K |
·
používající paměťových prvků s více než dvěma stabilními stavy, které se projevují pomocí stupňů, např. napětí, proudu, fáze, kmitočtu
[2,8]
|