| |
|
|
Index |
|
|
| S |
|
C |
K |
CHEMIE
;
HUTNICTVÍ
|
| C |
|
C30 |
K |
PĚSTOVÁNÍ KRYSTALŮ
[3]
|
| U |
|
C30B |
K |
PĚSTOVÁNÍ MONOKRYSTALŮ
(
použitím ultravysokého tlaku, např. pro výrobu diamantů
B01J 3/06
)
JEDNOSMĚRNÉ TUHNUTÍ EUTEKTICKÉHO MATERIÁLU NEBO JEDNOSMĚRNÉ ODMÍŠENÍ EUTEKTOIDNÍHO MATERIÁLU
;
RAFINACE ZONÁLNÍM TAVENÍM MATERIÁLU
(
zonální rafinace kovů nebo slitin
C22B
)
VÝROBA HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU
(
lití kovů, lití jiných látek týmiž postupy nebo zařízeními
B22D
;
zpracování plastických materiálů
B29
;
modifikace fyzikální struktury kovů nebo slitin
C21D
,
C22F
)
MONOKRYSTALY NEBO HOMOGENNÍ POLYKRYSTALICKÝ MATERIÁL S DEFINOVANOU STRUKTUROU
;
NÁSLEDNÁ ÚPRAVA MONOKRYSTALŮ NEBO HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU
(
pro výrobu polovodičových konstrukčních prvků nebo jejich součástí
H01L
,
H10
)
ZAŘÍZENÍ PRO TYTO ÚČELY
[3]
|
| M |
|
C30B 25/00 |
K |
Pěstování monokrystalů chemickou reakcí reaktivních plynů, např. pěstování chemickou depozicí z plynné fáze
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 25/02 |
K |
·
Růst epitaxní vrstvy
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 25/04 |
K |
· ·
Nanášení do vzorů, např. použitím masek
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 25/06 |
K |
· ·
reaktivním naprašováním
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 25/08 |
K |
· ·
Reakční komory
;
Výběr materiálů pro ně
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 25/10 |
K |
· ·
Zahřívání reakční komory nebo substrátu
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 25/12 |
K |
· ·
Držáky substrátu nebo susceptory
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 25/14 |
K |
· ·
Prostředky pro přívod a odvod plynů
;
Modifikace průtoku reaktivních plynů
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 25/16 |
K |
· ·
Řízení nebo regulace
(
řízení nebo regulace všeobecně
G05
)
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 25/18 |
K |
· ·
z hlediska substrátu
[3,8]
|
| 3 |
|
C30B 25/20 |
K |
· · ·
kde je substrát z týchž materiálů jako epitaxní vrstva
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 25/22 |
K |
· ·
Sendvičové postupy
[3,8]
|