| |
|
|
Index |
|
|
| S |
|
C |
K |
CHEMIE
;
HUTNICTVÍ
|
| C |
|
C30 |
K |
PĚSTOVÁNÍ KRYSTALŮ
[3]
|
| U |
|
C30B |
K |
PĚSTOVÁNÍ MONOKRYSTALŮ
(
použitím ultravysokého tlaku, např. pro výrobu diamantů
B01J 3/06
)
JEDNOSMĚRNÉ TUHNUTÍ EUTEKTICKÉHO MATERIÁLU NEBO JEDNOSMĚRNÉ ODMÍŠENÍ EUTEKTOIDNÍHO MATERIÁLU
;
RAFINACE ZONÁLNÍM TAVENÍM MATERIÁLU
(
zonální rafinace kovů nebo slitin
C22B
)
VÝROBA HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU
(
lití kovů, lití jiných látek týmiž postupy nebo zařízeními
B22D
;
zpracování plastických materiálů
B29
;
modifikace fyzikální struktury kovů nebo slitin
C21D
,
C22F
)
MONOKRYSTALY NEBO HOMOGENNÍ POLYKRYSTALICKÝ MATERIÁL S DEFINOVANOU STRUKTUROU
;
NÁSLEDNÁ ÚPRAVA MONOKRYSTALŮ NEBO HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU
(
pro výrobu polovodičových konstrukčních prvků nebo jejich součástí
H01L
,
H10
)
ZAŘÍZENÍ PRO TYTO ÚČELY
[3]
|
| M |
|
C30B 19/00 |
K |
Růst epitaxní vrstvy z kapalné fáze
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 19/02 |
K |
·
s použitím roztavených rozpouštědel, např. tavidla
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 19/04 |
K |
· ·
kde je rozpouštědlo složkou ze složení krystalu
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 19/06 |
K |
·
Reakční komory
;
Lodičky pro uložení taveniny
;
Držáky substrátu
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 19/08 |
K |
·
Zahřívání reakční komory nebo substrátu
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 19/10 |
K |
·
Řízení nebo regulace
(
řízení nebo regulace všeobecně
G05
)
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 19/12 |
K |
·
z hlediska substrátu
[3,8]
|