| |
|
|
Index |
|
|
| S |
|
C |
K |
CHEMIE
;
HUTNICTVÍ
|
| C |
|
C30 |
K |
PĚSTOVÁNÍ KRYSTALŮ
[3]
|
| U |
|
C30B |
K |
PĚSTOVÁNÍ MONOKRYSTALŮ
(
použitím ultravysokého tlaku, např. pro výrobu diamantů
B01J 3/06
)
JEDNOSMĚRNÉ TUHNUTÍ EUTEKTICKÉHO MATERIÁLU NEBO JEDNOSMĚRNÉ ODMÍŠENÍ EUTEKTOIDNÍHO MATERIÁLU
;
RAFINACE ZONÁLNÍM TAVENÍM MATERIÁLU
(
zonální rafinace kovů nebo slitin
C22B
)
VÝROBA HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU
(
lití kovů, lití jiných látek týmiž postupy nebo zařízeními
B22D
;
zpracování plastických materiálů
B29
;
modifikace fyzikální struktury kovů nebo slitin
C21D
,
C22F
)
MONOKRYSTALY NEBO HOMOGENNÍ POLYKRYSTALICKÝ MATERIÁL S DEFINOVANOU STRUKTUROU
;
NÁSLEDNÁ ÚPRAVA MONOKRYSTALŮ NEBO HOMOGENNÍHO POLYKRYSTALICKÉHO MATERIÁLU S DEFINOVANOU STRUKTUROU
(
pro výrobu polovodičových konstrukčních prvků nebo jejich součástí
H01L
,
H10
)
ZAŘÍZENÍ PRO TYTO ÚČELY
[3]
|
| M |
|
C30B 15/00 |
K |
Pěstování monokrystalů tažením z taveniny, např. Czochralskiho metoda
(
pod ochrannou tekutinou
C30B 27/00
)
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 15/02 |
K |
·
přidávání krystalizujících materiálů nebo výchozích látek tvořících ji
in situ
k tavenině
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 15/04 |
K |
· ·
přidávání dopujících materiálů, např. pro přechod n-p
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 15/06 |
K |
·
Nevertikální tažení
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 15/08 |
K |
·
Tažení směrem dolů
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 15/10 |
K |
·
Kelímky nebo nádoby pro uložení taveniny
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 15/12 |
K |
· ·
Metody dvojitého kelímku
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 15/14 |
K |
·
Zahřívání taveniny nebo krystalizovaných materiálů
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 15/16 |
K |
· ·
ozářením nebo elektrickým výbojem
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 15/18 |
K |
· ·
s použitím přímého odporového zahřívání navíc k jiným způsobům zahřívání, např. použití Peltierova tepla
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 15/20 |
K |
·
Řízení nebo regulace
(
řízení nebo regulace všeobecně
G05
)
[3,8]
|
| 2 |
|
C30B 15/22 |
K |
· ·
Stabilizace nebo kontrola tvaru roztavené zóny poblíž taženého krystalu
;
Kontrola průřezu krystalu
[3,8]
|
| 3 |
|
C30B 15/24 |
K |
· · ·
s použitím mechanických prostředků, např. tvarovacích vodítek
(
tvarovací formy pro pěstování krystalu s definovaným okrajem za přívodu v tenké vrstvě
C30B 15/34
)
[3,8]
|
| 3 |
|
C30B 15/26 |
K |
· · ·
s použitím televizních detektorů
;
s použitím fotodetektorů nebo rentgenových detektorů
[3,8]
|
| 3 |
|
C30B 15/28 |
K |
· · ·
s použitím hmotnostních změn krystalu nebo taveniny, např. flotační metody
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 15/30 |
K |
·
Mechanismy pro otáčení nebo pohyb buď taveniny, nebo krystalu
(
flotační metody
C30B 15/28
)
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 15/32 |
K |
·
Držáky očkovacích krystalů, např. sklíčidla
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 15/34 |
K |
·
Pěstování krystalů s definovaným okrajem za přívodu v tenké vrstvě s použitím forem nebo štěrbin
[3,8]
|
| 1 |
|
C30B 15/36 |
K |
·
vyznačené očkovacím krystalem, např. jeho krystalografickou orientací
[3,8]
|