| |
|
|
Index |
|
|
| S |
|
H |
K |
ELEKTŘINA
|
| C |
|
H10 |
K |
POLOVODIČOVÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY
;
ELEKTRICKÉ PEVNÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY NEZAHRNUTÉ JINDE
[2023.01]
|
| U |
|
H10F |
K |
ANORGANICKÉ POLOVODIČOVÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY CITLIVÉ NA INFRAČERVENÉ ZÁŘENÍ, SVĚTLO, ELEKTROMAGNETICKÉ ZÁŘENÍ O KRATŠÍ VLNOVÉ DÉLCE NEBO ČÁSTICOVÉ ZÁŘENÍ
[2025.01]
|
| M |
|
H10F 30/00 |
K |
Jednotlivé polovodičové konstrukční prvky citlivé na záření, v nichž záření řídí tok proudu těmito konstrukčními prvky, např. fotodetektory
[2025.01]
|
| 1 |
|
H10F 30/10 |
K |
·
kde jsou tyto konstrukční prvky citlivé na infračervené záření, viditelné světlo nebo ultrafialové záření a nemají žádné potenciálové hradlové vrstvy, např. fotorezistory [fotoodpory]
[2025.01]
|
| 1 |
|
H10F 30/20 |
K |
·
kde tyto konstrukční prvky mají potenciálové hradlové vrstvy, např. fototranzistory
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10F 30/21 |
K |
· ·
kde jsou tyto konstrukční prvky citlivé na infračervené záření, viditelné světlo nebo ultrafialové záření
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10F 30/22 |
K |
· · ·
kde tyto konstrukční prvky mají pouze jednu potenciálovou hradlovou vrstvu, např. fotodiody
[2025.01]
|
| 4 |
|
H10F 30/221 |
K |
· · · ·
kde je touto potenciálovou hradlovou vrstvou homopřechod PN
[2025.01]
|
| 4 |
|
H10F 30/222 |
K |
· · · ·
kde je touto potenciálovou hradlovou vrstvou heteropřechod PN
[2025.01]
|
| 4 |
|
H10F 30/223 |
K |
· · · ·
kde je touto potenciálovou hradlovou vrstvou PIN bariéra
[2025.01]
|
| 4 |
|
H10F 30/225 |
K |
· · · ·
kde potenciální hradlová vrstva pracuje v lavinovém režimu, např. lavinové fotodiody
[2025.01]
|
| 4 |
|
H10F 30/227 |
K |
· · · ·
kde je touto potenciálovou hradlovou vrstvou Schottkyho bariéra
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10F 30/24 |
K |
· · ·
kde tyto konstrukční prvky mají pouze dvě potenciálové hradlové vrstvy, např. bipolární fototranzistory
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10F 30/26 |
K |
· · ·
kde tyto konstrukční prvky mají tři nebo více potenciálových hradlových vrstev, např. fototyristory
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10F 30/28 |
K |
· · ·
kde se tyto konstrukční prvky vyznačují činností řízenou elektrickým polem, např. fototranzistory řízené elektrickým polem s přechody
[2025.01]
|
| 4 |
|
H10F 30/282 |
K |
· · · ·
Tranzistory řízené elektrickým polem s izolovaným hradlem [IGFET], např. fototranzistory MISFET [tranzistor řízený elektrickým polem se strukturou kov-izolant-polovodič]
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10F 30/29 |
K |
· ·
kde jsou tyto konstrukční prvky citlivé na záření o velmi krátkých vlnových délkách, např. rentgenové paprsky, gama záření nebo částicové záření
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10F 30/292 |
K |
· · ·
Objemové detektory záření, např. detektory gama záření s PIN kompenzovaným Ge-Li
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10F 30/295 |
K |
· · ·
Detektory záření s povrchovou bariérou nebo s mělkým PN přechodem, např. detektory alfa částic s povrchovou bariérou
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10F 30/298 |
K |
· · ·
kde se tyto konstrukční prvky vyznačují činností řízenou elektrickým polem, např. detektory typu MIS
[2025.01]
|