| |
|
|
Index |
|
|
| S |
|
H |
K |
ELEKTŘINA
|
| C |
|
H10 |
K |
POLOVODIČOVÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY
;
ELEKTRICKÉ PEVNÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY NEZAHRNUTÉ JINDE
[2023.01]
|
| U |
|
H10F |
K |
ANORGANICKÉ POLOVODIČOVÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY CITLIVÉ NA INFRAČERVENÉ ZÁŘENÍ, SVĚTLO, ELEKTROMAGNETICKÉ ZÁŘENÍ O KRATŠÍ VLNOVÉ DÉLCE NEBO ČÁSTICOVÉ ZÁŘENÍ
[2025.01]
|
| M |
|
H10F 10/00 |
K |
Jednotlivé fotovoltaické články, např. sluneční [solární] články
(
elektrolytické konstrukční prvky citlivé na světlo, např. solární články senzibilizované barvivy
H01G 9/20
)
[2025.01]
|
| 1 |
|
H10F 10/10 |
K |
·
s potenciálovými hradlovými vrstvami
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10F 10/11 |
K |
· ·
Fotovoltaické články, které mají potenciálové hradlové vrstvy s bodovým kontaktem
(
H10F 10/18
má přednost
)
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10F 10/12 |
K |
· ·
Fotovoltaické články, které mají pouze potenciálové hradlové vrstvy se strukturou kov-izolant-polovodič [MIS]
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10F 10/13 |
K |
· ·
Fotovoltaické články, které mají absorpční vrstvy zahrnující gradientové zakázané pásy
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10F 10/14 |
K |
· ·
Fotovoltaické články, které mají pouze potenciálové hradlové vrstvy na bázi PN homopřechodů
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10F 10/142 |
K |
· · ·
zahrnující více PN homopřechodů, např. tandemové články
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10F 10/144 |
K |
· · ·
zahrnující pouze materiály ze skupiny III-V, např. fotovoltaické články na bázi GaAs, AlGaAs nebo InP
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10F 10/16 |
K |
· ·
Fotovoltaické články, které mají pouze potenciálové hradlové vrstvy na bázi PN heteropřechodů
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10F 10/161 |
K |
· · ·
zahrnující více PN heteropřechodů, např. tandemové články
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10F 10/162 |
K |
· · ·
zahrnující pouze materiály ze skupiny II-VI, např. fotovoltaické články na bázi CdS/CdTe
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10F 10/163 |
K |
· · ·
zahrnující pouze materiály ze skupiny III-V, např. fotovoltaické články na bázi GaAs/AlGaAs nebo InP/GaInAs
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10F 10/164 |
K |
· · ·
zahrnující heteropřechody s materiály ze skupiny IV, např. fotovoltaické články na bázi ITO/Si nebo GaAs/SiGe
[2025.01]
|
| 4 |
|
H10F 10/165 |
K |
· · · ·
kde jsou těmito heteropřechody heteropřechody ze skupiny IV-IV, např. fotovoltaické články na bázi Si/Ge, SiGe/Si nebo Si/SiC
[2025.01]
|
| 5 |
|
H10F 10/166 |
K |
· · · · ·
kde jsou heteropřechody ze skupiny IV-IV heteropřechody z krystalických a amorfních materiálů, např. fotovoltaické články s křemíkovým heteropřechodem [SHJ]
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10F 10/167 |
K |
· · ·
zahrnující materiály ze skupiny I-III-VI, např. fotovoltaické články na bázi CdS/CuInSe
2
[CIS] heteropřechodu
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10F 10/17 |
K |
· ·
Fotovoltaické články, které mají pouze potenciálové hradlové vrstvy na bázi PIN přechodu
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10F 10/172 |
K |
· · ·
zahrnující více PIN přechodů, např. tandemové články
[2025.01]
|
| 3 |
|
H10F 10/174 |
K |
· · ·
zahrnující monokrystalické nebo polykrystalické materiály
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10F 10/18 |
K |
· ·
Fotovoltaické články pouze se Schottkyho potenciálovými hradlovými vrstvami
[2025.01]
|
| 2 |
|
H10F 10/19 |
K |
· ·
Fotovoltaické články, které mají více potenciálových hradlových vrstev různých druhů, např. tandemové články, které mají PN i PIN přechody
[2025.01]
|