Verze 2025.01
jazyk
      Index    
S   H K ELEKTŘINA
C   H10 K POLOVODIČOVÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY ; ELEKTRICKÉ PEVNÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY NEZAHRNUTÉ JINDE [2023.01]
U   H10B K ELEKTRONICKÉ PAMĚŤOVÉ PRVKY [2023.01]
M   H10B 51/00 K Feroelektrické prvky RAM [FeRAM] zahrnující feroelektrické paměťové tranzistory [2023.01]
1   H10B 51/10 K  ·   z hlediska uspořádání při pohledu shora [2023.01]
1   H10B 51/20 K  ·   vyznačenými trojrozměrným uspořádáním, např. s články na různých výškových úrovních [2023.01]
1   H10B 51/30 K  ·   z hlediska oblasti paměťového jádra [2023.01]
1   H10B 51/40 K  ·   z hlediska oblasti periferních obvodů [2023.01]
1   H10B 51/50 K  ·   z hlediska hraniční oblasti mezi jádrem a oblastmi periferních obvodů [2023.01]