| |
|
|
Index |
|
|
| S |
|
H |
K |
ELEKTŘINA
|
| C |
|
H10 |
K |
POLOVODIČOVÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY
;
ELEKTRICKÉ PEVNÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY NEZAHRNUTÉ JINDE
[2023.01]
|
| U |
|
H10B |
K |
ELEKTRONICKÉ PAMĚŤOVÉ PRVKY
[2023.01]
|
| M |
|
H10B 43/00 |
K |
Prvky EEPROM obsahující hradlové izolátory zachycující náboj
[2023.01]
|
| 1 |
|
H10B 43/10 |
K |
·
z hlediska uspořádání při pohledu shora
[2023.01]
|
| 1 |
|
H10B 43/20 |
K |
·
z hlediska trojrozměrného uspořádání, např. s články na různých výškových úrovních
[2023.01]
|
| 2 |
|
H10B 43/23 |
K |
· ·
se zdrojovou a odtokovou elektrodou na různých úrovních, např. se šikmými kanály
[2023.01]
|
| 3 |
|
H10B 43/27 |
K |
· · ·
kde tyto kanály zahrnují svislé části, např. kanály ve tvaru U
[2023.01]
|
| 1 |
|
H10B 43/30 |
K |
·
z hlediska oblasti paměťového jádra
[2023.01]
|
| 2 |
|
H10B 43/35 |
K |
· ·
s výběrovými tranzistory článku, např. NAND
[2023.01]
|
| 1 |
|
H10B 43/40 |
K |
·
z hlediska oblasti periferních obvodů
[2023.01]
|
| 1 |
|
H10B 43/50 |
K |
·
z hlediska hraniční oblasti mezi jádrem a oblastmi periferních obvodů
[2023.01]
|