| |
|
|
Index |
|
|
| S |
|
H |
K |
ELEKTŘINA
|
| C |
|
H10 |
K |
POLOVODIČOVÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY
;
ELEKTRICKÉ PEVNÉ KONSTRUKČNÍ PRVKY NEZAHRNUTÉ JINDE
[2023.01]
|
| U |
|
H10B |
K |
ELEKTRONICKÉ PAMĚŤOVÉ PRVKY
[2023.01]
|
| M |
|
H10B 41/00 |
K |
Elektricky mazatelné a programovatelné prvky ROM [EEPROM] zahrnující plovoucí hradla
[2023.01]
|
| 1 |
|
H10B 41/10 |
K |
·
z hlediska uspořádání při pohledu shora
[2023.01]
|
| 1 |
|
H10B 41/20 |
K |
·
z hlediska trojrozměrného uspořádání, např. s články na různých výškových úrovních
[2023.01]
|
| 2 |
|
H10B 41/23 |
K |
· ·
se zdrojovou a odtokovou elektrodou na různých úrovních, např. se šikmými kanály
[2023.01]
|
| 3 |
|
H10B 41/27 |
K |
· · ·
kde tyto kanály zahrnují svislé části, např. kanály ve tvaru U
[2023.01]
|
| 1 |
|
H10B 41/30 |
K |
·
z hlediska oblasti paměťového jádra
[2023.01]
|
| 2 |
|
H10B 41/35 |
K |
· ·
s výběrovým tranzistorem článku, např. NAND
[2023.01]
|
| 1 |
|
H10B 41/40 |
K |
·
z hlediska oblasti periferních obvodů
[2023.01]
|
| 2 |
|
H10B 41/41 |
K |
· ·
paměťové oblasti zahrnující výběrový tranzistor článku, např. NAND
[2023.01]
|
| 2 |
|
H10B 41/42 |
K |
· ·
Současná výroba periferních a paměťových článků
[2023.01]
|
| 3 |
|
H10B 41/43 |
K |
· · ·
zahrnující pouze jeden druh periferního tranzistoru
[2023.01]
|
| 4 |
|
H10B 41/44 |
K |
· · · ·
kde se jako část periferního tranzistoru používá rovněž nepropustná vrstva hradla
[2023.01]
|
| 4 |
|
H10B 41/46 |
K |
· · · ·
kde se jako část periferního tranzistoru používá rovněž dielektrická vrstva mezi hradly
[2023.01]
|
| 4 |
|
H10B 41/47 |
K |
· · · ·
kde se jako část periferního tranzistoru používá rovněž vrstva plovoucího hradla
[2023.01]
|
| 4 |
|
H10B 41/48 |
K |
· · · ·
kde se jako část periferního tranzistoru používá rovněž tunelová dielektrická vrstva
[2023.01]
|
| 3 |
|
H10B 41/49 |
K |
· · ·
zahrnující různé druhy periferních tranzistorů
[2023.01]
|
| 1 |
|
H10B 41/50 |
K |
·
vyznačené hraniční oblastí mezi oblastí jádra a oblastí periferního obvodu
[2023.01]
|
| 1 |
|
H10B 41/60 |
K |
·
kde je řídícím hradlem dotovaná oblast, např. "single-poly" paměťový článek
[2023.01]
|
| 1 |
|
H10B 41/70 |
K |
·
kde je plovoucím hradlem elektroda sdílená mezi dvěma nebo více součástkami
[2023.01]
|