Verze 2025.01
jazyk
      Index    
S   G K FYZIKA
C   G11 K UCHOVÁVÁNÍ INFORMACÍ
U   G11C K STATICKÉ PAMĚTI ( polovodičová paměťová zařízení H10B )
M   G11C 19/00 K Číslicové paměti, v nichž informace se pohybuje krokově, např. posuvné registry [1,8]
1   G11C 19/02 K  ·   použitím magnetických prvků ( G11C 19/14 má přednost ) [2,8]
2   G11C 19/04 K  ·   ·   s jádry s jedním otvorem nebo jedním magnetickým obvodem [2,8]
2   G11C 19/06 K  ·   ·   s více otvory nebo magnetickými obvody, např. transfluxory [2,8]
2   G11C 19/08 K  ·   ·   s tenkými filmy v rovinném uspořádání [2,8]
2   G11C 19/10 K  ·   ·   s tenkými filmy na tyčinkách ; s twistory [2,8]
1   G11C 19/12 K  ·   s nelineárními reaktancemi v rezonančních obvodech [2,8]
1   G11C 19/14 K  ·   s magnetickými prvky v kombinaci s aktivními prvky, např. s výbojkami, s polovodičovými součástkami ( G11C 19/34 má přednost ) [2,7,8]
1   G11C 19/18 K  ·   s kondenzátory jako hlavními prvky stupňů [2,8]
1   G11C 19/20 K  ·   s použitím výbojek ( G11C 19/14 má přednost ) [2,8]
1   G11C 19/28 K  ·   s polovodičovými součástkami ( G11C 19/14 , G11C 19/36 mají přednost ) [2,7,8]
1   G11C 19/30 K  ·   používající optoelektronická zařízení, tj. světloemitující a fotoelektrická zařízení vázaná elektricky nebo opticky [2,8]
1   G11C 19/32 K  ·   se supravodivými prvky [2,8]
1   G11C 19/34 K  ·   používající paměťových prvků s více než dvěma stabilními stavy, které se projevují pomocí stupňů, např. napětí, proudu, fáze, kmitočtu [7,8]
2   G11C 19/36 K  ·   ·   s polovodičovými součástkami [7,8]
1   G11C 19/38 K  ·   dvourozměrové, například horizontální a vertikální posuvné registry [7] [7,8]