| |
|
|
Index |
|
|
| S |
|
G |
K |
FYZIKA
|
| C |
|
G11 |
K |
UCHOVÁVÁNÍ INFORMACÍ
|
| U |
|
G11C |
K |
STATICKÉ PAMĚTI
(
polovodičová paměťová zařízení
H10B
)
|
| M |
|
G11C 17/00 |
K |
Permanentní paměti programovatelné pouze jednou tj. ROM
;
Polopermanentní paměti, např. s ručně výměnným štítkovým nosičem informace
[1,2,5,8]
|
| 1 |
|
G11C 17/02 |
K |
·
s magnetickými nebo induktivními prvky
(
G11C 17/14
má přednost
)
[2,5,8]
|
| 1 |
|
G11C 17/04 |
K |
·
s kapacitními prvky
(
G11C 17/06
,
G11C 17/14
mají přednost
)
[2,5,8]
|
| 1 |
|
G11C 17/06 |
K |
·
s diodovými prvky
(
G11C 17/14
má přednost
)
[2,5,8]
|
| 1 |
|
G11C 17/08 |
K |
·
používající polovodičové zařízení, např. bipolární prvky
(
G11C 17/06
,
G11C 17/14
mají přednost
)
[5,8]
|
| 2 |
|
G11C 17/10 |
K |
· ·
v kterých obsah je určen během výroby předem stanoveným uspořádáním vazebních prvků, např. paměť ROM programovatelná maskováním
[5,8]
|
| 3 |
|
G11C 17/12 |
K |
· · ·
používající zařízení řízená polem
[5,8]
|
| 1 |
|
G11C 17/14 |
K |
·
v kterých obsah je určen výběrovým stanovením, přerušením nebo modifikací propojovacích spojů, trvalým prováděním změn stavu vazebních prvků, např. PROM
[5,8]
|
| 2 |
|
G11C 17/16 |
K |
· ·
používající elektricky tavitelné spoje (ellectricaly-fusible links)
[5,8]
|
| 2 |
|
G11C 17/18 |
K |
· ·
Pomocné obvody, např. pro zápis do paměti
[5,8]
|