Verze 2025.01
jazyk
      Index    
S   G K FYZIKA
C   G11 K UCHOVÁVÁNÍ INFORMACÍ
U   G11C K STATICKÉ PAMĚTI ( polovodičová paměťová zařízení H10B )
M   G11C 16/00 K Reprogramovatelné permanentní paměti ( G11C 14/00 má přednost ) [5,8]
1   G11C 16/02 K  ·   elektricky programovatelné [5,8]
2   G11C 16/04 K  ·   ·   používající tranzistory s proměnným prahovým napětím, např. FAMOS [5,8]
2   G11C 16/06 K  ·   ·   Pomocné obvody, např. pro zápis do paměti [5,8]
3   G11C 16/08 K  ·   ·   ·   Adresovací obvody ; Dekodéry ; Kontrolní obvody řádkového vodiče (word-line) [7,8]
3   G11C 16/10 K  ·   ·   ·   Programovací obvody nebo obvody pro vstup dat [7,8]
4   G11C 16/12 K  ·   ·   ·   ·   Programovací obvody přepínání napětí [7,8]
4   G11C 16/14 K  ·   ·   ·   ·   Obvody pro elektrické vymazávání, například přepínací obvody výmazového napětí [7,8]
5   G11C 16/16 K  ·   ·   ·   ·   ·   k vymazání bloků, například polí, slov, skupin [7] [7,8]
4   G11C 16/18 K  ·   ·   ·   ·   Obvody zajišťující optický výmaz [7,8]
4   G11C 16/20 K  ·   ·   ·   ·   Inicializace ; Přednastavení dat ; Identifikace čipu [7,8]
3   G11C 16/22 K  ·   ·   ·   Bezpečnostní nebo ochranné obvody, například pro zabránění náhodnému nebo neoprávněnému přístupu k paměťovým buňkám [7,8]
3   G11C 16/24 K  ·   ·   ·   Řídicí obvody bitových vodičů [7,8]
3   G11C 16/26 K  ·   ·   ·   Obvody pro čtení nebo zápis ; Obvody výstupu dat [7,8]
4   G11C 16/28 K  ·   ·   ·   ·   používající diferenciální čtecí nebo referenční buňky, například vyvažovací buňky [7,8]
3   G11C 16/30 K  ·   ·   ·   Napájecí obvody [7,8]
3   G11C 16/32 K  ·   ·   ·   Časovací obvody [7,8]
3   G11C 16/34 K  ·   ·   ·   Stanovení stavu při programování, například prahového napětí, přeprogramování nebo nedoprogramování, zadržení [7,8]