| |
|
|
Index |
|
|
| S |
|
G |
K |
FYZIKA
|
| C |
|
G03 |
K |
FOTOGRAFIE
;
KINEMATOGRAFIE
;
OBDOBNÉ POSTUPY POUŽÍVAJÍCÍ VLNY JINÉ NEŽ OPTICKÉ
;
ELEKTROGRAFIE
;
HOLOGRAFIE
[4]
|
| U |
|
G03F |
K |
FOTOMECHANICKÁ VÝROBA DEKORATIVNĚ UPRAVENÝCH NEBO VZOROVANÝCH POVRCHŮ, NAPŘ. PRO TISK, PRO VÝROBU POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ
;
MATERIÁLY PRO TENTO ÚČEL
;
ORIGINÁLY PRO TENTO ÚČEL
;
ZAŘÍZENÍ ZVLÁŠŤ UPRAVENÁ PRO TENTO ÚČEL
(
fotosázecí přístroje
B41B
;
fotocitlivé materiály nebo postupy pro fotografické účely
G03C
;
elektrografie, citlivé vrstvy nebo procesy pro ni
G03G
)
|
| M |
|
G03F 1/00 |
K |
Příprava originálů pro fotomechanickou výrobu dekorativně upravených nebo vzorovaných povrchů, např. masek, fotografických masek nebo mřížek
;
Polotovary masek nebo blány pro ně
;
Obaly zvlášť pro ně upravené
;
Jejich příprava
[1,3,8,2012.01]
|
| N |
|
G03F 1/00 |
|
Poznámky
V této hlavní skupině se použije pravidlo přednosti prvního místa, tj. na každé hierarchické úrovni se provádí zatřídění na první vhodné místo, není-li uvedeno jinak.
|
| 1 |
|
G03F 1/20 |
K |
·
Masky nebo polotovary masek pro exponování zářením svazku nabitých částic (CPB), např. elektronového svazku
;
Jejich příprava
[2012.01]
|
| 1 |
|
G03F 1/22 |
K |
·
Masky nebo polotovary masek pro exponování zářením o vlnové délce 100 nm nebo kratší, např. rentgenové masky, extrémní ultrafialové [EUV] masky
;
Jejich příprava
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/24 |
K |
· ·
Reflexní masky
;
Jejich příprava
[2012.01]
|
| 1 |
|
G03F 1/26 |
K |
·
Masky s fázovým posunem (PSM)
;
Polotovary PSM
;
Jejich příprava
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/28 |
K |
· ·
se třemi nebo více odlišnými fázemi na téže PSM
;
Jejich příprava
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/29 |
K |
· ·
PSM typu "rim" nebo "outrigger"
;
Jejich příprava
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/30 |
K |
· ·
Fázově se střídající PSM, např. Levenson-Shibuya PSM
;
Jejich příprava
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/32 |
K |
· ·
Zeslabující PSM (att-PSM), např. půltónové PSM nebo PSM s poloprůhlednou částí fázového posunu
;
Jejich příprava
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/34 |
K |
· ·
"Phase-edge" PSM, např. "chromeless" PSM
;
Jejich příprava
[2012.01]
|
| 1 |
|
G03F 1/36 |
K |
·
Masky se znaky pro korekci jevů blízkosti
;
Jejich příprava, např. designové postupy pro optickou korekci jevů blízkosti (OPC)
[2012.01]
|
| 1 |
|
G03F 1/38 |
K |
·
Masky s pomocnými znaky, např. zvláštní povlaky nebo značky pro uspořádávání nebo zkoušení
;
Jejich příprava
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/40 |
K |
· ·
Znaky týkající se elektrostatického výboje (ESD), např. antistatické povlaky nebo vodivá kovová vrstva po obvodu substrátu masky
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/42 |
K |
· ·
Znaky pro uspořádání nebo rozpoznání, např. značky pro uspořádávání na substrátech masky
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/44 |
K |
· ·
Znaky pro zkoušení nebo měření, např. mřížkové vzory, sledování zaostření, měřítka ve tvaru zubu pily nebo se zářezy
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/46 |
K |
· ·
Antireflexní povlaky
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/48 |
K |
· ·
Ochranné povlaky
[2012.01]
|
| 1 |
|
G03F 1/50 |
K |
·
Polotovary masek nezahrnuté ve skupinách
G03F 1/20
- G03F 1/26
;
Jejich příprava
[2012.01]
|
| 1 |
|
G03F 1/52 |
K |
·
Reflektory
[2012.01]
|
| 1 |
|
G03F 1/54 |
K |
·
Absorbéry, např. neprůhledné materiály
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/56 |
K |
· ·
Organické absorbéry, např. fotorezisty
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/58 |
K |
· ·
se dvěma nebo více odlišnými absorbujícími vrstvami, např. skládané vícevrstvé absorbéry
[2012.01]
|
| 1 |
|
G03F 1/60 |
K |
·
Podklady [substráty]
[2012.01]
|
| 1 |
|
G03F 1/62 |
K |
·
Blány nebo jejich sestavy, např. s membránou na nosném rámu
;
Jejich příprava
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/64 |
K |
· ·
vyznačené rámy, např. jejich konstrukce nebo materiál
[2012.01]
|
| 1 |
|
G03F 1/66 |
K |
·
Obaly zvlášť upravené pro masky, polotovary masek nebo blány
;
Jejich příprava
[2012.01]
|
| 1 |
|
G03F 1/68 |
K |
·
Postupy přípravy nezahrnuté ve skupinách
G03F 1/20
- G03F 1/50
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/70 |
K |
· ·
Úprava základního uspořádání nebo návrhu masek na základě požadavků litografického postupu, např. korekce vzorů masek pro exponování pomocí druhé iterace
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/72 |
K |
· ·
Oprava nebo korekce vad masky
[2012.01]
|
| 3 |
|
G03F 1/74 |
K |
· · ·
pomocí svazku nabitých částic (CPB), např. fokusovaného iontového svazku
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/76 |
K |
· ·
Vzorování masek exponováním
[2012.01]
|
| 3 |
|
G03F 1/78 |
K |
· · ·
pomocí svazku nabitých částic (CPB), např. elektronového svazku
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/80 |
K |
· ·
Leptání
[2012.01]
|
| 2 |
|
G03F 1/82 |
K |
· ·
Pomocné postupy, např. čištění
[2012.01]
|
| 3 |
|
G03F 1/84 |
K |
· · ·
Kontrola
[2012.01]
|
| 4 |
|
G03F 1/86 |
K |
· · · ·
pomocí svazku nabitých částic (CPB)
[2012.01]
|
| 1 |
|
G03F 1/88 |
K |
·
připravené fotografickými postupy pro výrobu originálů napodobujících plastický povrch
[2012.01]
|
| 1 |
|
G03F 1/90 |
K |
·
připravené postupy montáže
[2012.01]
|
| 1 |
|
G03F 1/92 |
K |
·
připravené tiskem z plochy
[2012.01]
|